[发明专利]用于操作电阻存储单元的方法和存储电路

权利要求书

1.一种用于读取存储在电阻存储元件中的数据的方法，所述电阻存储元件具有由控制值控制的可控选择晶体管，所述方法包括：

检测流过所述电阻存储元件的单元电流；

基于所检测的单元电流设置所述控制值；以及

根据所设置的控制值提供所述数据。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，检测流过所述电阻存储元件的所述单元电流的所述步骤包括将所述单元电流与参考电流进行比较，并且其中，基于比较的结果设置所述控制值。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，设置所述控制值，以使所述单元电流基本上等于所述参考电流。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，设置所述控制值的所述步骤包括：

将测量值施加至所述选择晶体管；以及

直到所述单元电流和所述参考电流之间的差的符号发生改变，才改变所施加的测量值，其中，在所述差的符号发生改变处的所述测量值被设置为所述控制值。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，以离散值改变所述测量值。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，从多个不同值中选择所述测量值，并且其中，当所述单元电流与所述参考电流之间的所述差的符号在连续施加的测量值之间改变时，最后施加的测量值被设置为所述控制值。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述控制值的所述多个不同值对应于所述电阻存储单元的待逐渐减一检测的多个预定电阻状态。

8.一种用于读取存储数据的存储电路，包括：

选择晶体管，由控制值控制；

电阻存储元件，其被设置为电阻状态；以及

读取单元，经配置用于检测流过所述电阻存储元件的单元电流，根据所检测的单元电流设置所述控制值，以及根据所述控制值提供所述数据。

9.根据权利要求8所述的存储电路，其中，所述读取单元包括：

比较单元，用于将流过所述电阻存储单元的所述单元电流与参考电流进行比较；以及

控制单元，用于根据比较的结果设置所述控制值。

10.根据权利要求9所述的存储电路，其中，所述控制单元经配置用于设置所述控制值，以使所述单元电流基本上等于所述参考电流。

11.根据权利要求10所述的存储电路，其中，所述控制单元包括：

测量电路，经配置用于将测量值施加至所述选择晶体管，

以及直到所述比较单元检测到所述单元电流和所述参考电流之间的差的符号已发生改变，才改变所述测量值，其中，所述比较单元使所述控制单元将在所述差的符号发生改变处的所述测量值被设置为所述控制值。

12.根据权利要求11所述的存储电路，其中，所述测量电路以离散值改变所述测量值。

13.根据权利要求12所述的存储电路，其中，所述测量电路从多个不同值中选择所述测量值，并且其中，当所述单元电流与所述参考电流之间的所述差的符号在连续施加的测量值之间改变时，所述控制单元将最后施加的测量值被设置为所述控制值。

14.根据权利要求13所述的存储电路，其中，所述控制值的所述多个不同值对应于所述电阻存储单元的待逐渐减一检测的许多预定电阻状态。