[发明专利]测试用探针基板及其制造方法无效
申请号: | 200710123492.3 | 申请日: | 2007-06-25 |
公开(公告)号: | CN101140296A | 公开(公告)日: | 2008-03-12 |
发明(设计)人: | 柳达来 | 申请(专利权)人: | 艾佩思有限公司 |
主分类号: | G01R1/04 | 分类号: | G01R1/04;G01R1/067 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄威;徐金伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 探针 及其 制造 方法 | ||
1.一种探针基板,其特征在于包括:
探针,其包括具有第一端部、第二端部的横杆及形成在所述横杆第一端部的接触体;
支撑基板,其用于支撑所述探针的第二端部,且具有可以使所述探针的第一端部上下方向弯曲的弯曲空间;
沟道氧化膜,其形成在所述支撑基板的上部表面,
所述沟道氧化膜,在所述支撑基板支撑探针的区域中,至少形成于与所述弯曲空间相邻接的区域。
2.根据权利要求1所述的探针基板,其特征在于:
通过所述弯曲空间,所述横杆与所述支撑基板的一部分相隔预定距离。
3.根据权利要求1所述的探针基板,其特征在于:
所述弯曲空间的侧壁呈倾斜状。
4.根据权利要求1所述的探针基板,其特征在于:
在所述支撑基板上形成有贯通孔,在所述贯通孔中填充有连接部件。
5.根据权利要求1所述的探针基板,其特征在于:
所述沟道氧化膜为形成在所述支撑基板表面的多个微细沟道上的热氧化膜。
6.根据权利要求1所述的探针基板,其特征在于:
所述横杆是,由从镍、铜、铂、钯、铑、金中选择的任意一种金属或以所述一种金属为主要成分的合金构成。
7.根据权利要求1所述的探针基板,其特征在于:
除所述支撑基板的弯曲空间表面以外的所述支撑基板表面上形成有绝缘膜。
8.根据权利要求7所述的探针基板,其特征在于:
所述支撑基板和所述横杆之间形成有绝缘膜,所述连接部件和所述横杆相接触。
9.根据权利要求1所述的探针基板,其特征在于:
所述沟道氧化膜的长度方向垂直于所述横杆的长度方向。
10.根据权利要求9所述的探针基板,其特征在于:
所述连接部件的周边形成有辅助沟道氧化膜。
11.根据权利要求10所述的探针基板,其特征在于:
所述辅助沟道氧化膜的长度方向垂直于所述沟道氧化膜的长度方向。
12.一种探针基板制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
在支撑基板上形成多个微细沟道;
在所述微细沟道内部填充热氧化膜,形成沟道氧化膜;
在所述支撑基板上形成多个贯通孔;
在所述支撑基板的整个表面上形成绝缘膜;
在所述贯通孔内部形成连接部件;
在所述支撑基板上的绝缘膜上形成多个横杆;
在所述横杆的一侧末端部上形成接触体;
蚀刻位于所述横杆下方的支撑基板的一部分,使形成有所述接触体的所述横杆的末端悬空,以形成弯曲空间,
其中,形成所述沟道氧化膜的步骤中,所述沟道氧化膜至少形成在所述支撑基板支撑所述横杆的区域中邻接于所述弯曲空间的区域。
13.根据权利要求12所述的探针基板制造方法,其特征在于:
形成多个所述横杆的步骤包括,
对形成于所述支撑基板上的绝缘膜制作图案,以暴露对应于所述弯曲空间的支撑基板的一部分;
在已暴露的所述支撑基板上面形成金属牺牲膜;
在所述金属牺牲膜及绝缘膜上形成籽晶层;
在所述籽晶层上形成第一感光膜图案,而暴露所述籽晶层的一部分;
使用电镀法,在经第一感光膜图案被暴露的区域上填充金属,而形成多个横杆。
14.根据权利要求13所述的探针基板制造方法,其特征在于:
所述第一感光膜图案为多个长杆状图案横向排列的形状。
15.根据权利要求14所述的探针基板的制造方法,其特征在于:
所述第一感光膜图案的长杆状图案的一侧末端部与所述连接部件相对应。
16.根据权利要求13所述的探针基板制造方法,其特征在于:
已制作图案的所述绝缘膜覆盖所述沟道氧化膜及连接部件。
17.根据权利要求16所述的探针基板制造方法,其特征在于:
所述金属牺牲膜不覆盖所述沟道氧化膜。
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