[发明专利]测试用探针基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种测试用探针基板及其制造方法，尤其涉及一种包括用于电性测试形成于半导体晶片上的半导体集成电路装置等是否有异常之探针的探针基板及其制造方法。

背景技术

通常，集成电路装置等是通过一系列半导体制造工序制造而成，而在其制造过程或制造完成后，通过电测试方式筛选正品和次品。这种电测试过程，使用从外部传输各种电信号、检测及分析半导体集成电路响应信号的测试设备。而为了电连接测试设备和半导体集成电路，就需要使用探针。液晶显示装置(Liquid Crystal Display)等平板显示器(Flat Panel Display)的制造过程或制造完成后，仍然进行与上述类似的测试过程，在此过程中同样需要负责电连接测试设备与元件的探针。

为使所述探针具有弹性，蚀刻支撑探针的支撑基板的一部分，而形成弯曲空间。此时，为了使探针和支撑基板电绝缘，在其之间形成氧化膜。然而，因探针的反复弯曲动作，使应力集中在探针和支撑基板之间的邻接部分上，因此强度较弱的一些氧化膜容易受损。在这种情况下，探针和支撑基板之间的电绝缘被破坏而发生漏电。因此，会产生不良基板，而降低探针基板的测试质量。

发明内容

本发明的目的在于提供一种即使进行反复弯曲动作，探针和支撑基板之间电绝缘也不会被破坏的的探针基板及其制造方法。

根据本发明一实施例，探针基板包括：探针，其包括具有第一端部和第二端部的横杆及形成在所述横杆第一端部的接触体；支撑基板，其支撑所述探针的第二端部，且具有可以使所述探针的第一端部上下方向弯曲的弯曲空间；沟道氧化膜，其形成在所述支撑基板的上部表面，所述沟道氧化膜，在所述支撑基板支撑探针的区域中，至少形成于与所述弯曲空间邻接的区域。

优选地，通过所述弯曲空间，所述横杆与所述支撑基板的一部分相隔预定距离。

优选地，在所述支撑基板上形成贯通孔，在所述贯通孔中填充连接部件。

优选地，所述沟道氧化膜为形成在所述支撑基板表面的多个微细沟道上的热氧化膜。

优选地，所述横杆，由从镍(Ni)、铜(Cu)、铂(Pt)、钯(Pd)、铑(Rh)、金(Au)中选择的任意一种金属或以所述一种金属为主要成分的合金构成。

优选地，除所述支撑基板的弯曲空间表面以外的所述支撑基板表面上形成绝缘膜。

优选地，所述支撑基板与所述横杆之间形成有绝缘膜，所述连接部件与所述横杆互相接触。

优选地，所述沟道氧化膜的长度方向垂直于所述横杆的长度方向。

优选地，所述连接部件的周边形成有辅助沟道氧化膜，所述辅助沟道氧化膜的长度方向垂直于所述沟道氧化膜的长度方向。

另外，根据本发明一实施例，探针基板的制造方法包括如下步骤：

在支撑基板上形成多个微细沟道；

在所述微细沟道内部填充热氧化膜，而形成沟道氧化膜；

在所述支撑基板上形成多个贯通孔；

在所述支撑基板的整个表面形成绝缘膜；

在所述贯通孔内部形成连接部件；

在形成于所述支撑基板上的绝缘膜上形成多个横杆；

在所述横杆的一侧末端部上形成接触体；

蚀刻位于所述横杆下方的支撑基板的一部分，形成弯曲空间。

其中，形成所述沟道氧化膜的步骤中，使所述沟道氧化膜在所述支撑基板支撑所述横杆的区域中，至少位于邻接于所述弯曲空间的区域。

优选地，形成多个所述横杆的步骤包括：

对形成于所述支撑基板上的绝缘膜制作图案，而暴露对应于所述弯曲空间的支撑基板的一部分；

在已暴露的所述支撑基板上面形成金属牺牲膜；

在所述金属牺牲膜及绝缘膜上形成籽晶层；

在所述籽晶层上形成第一感光膜图案，以暴露所述籽晶层的一部分；

使用电镀法，在通过第一感光膜图案被暴露的部分上填充金属，而形成多个横杆。

优选地，所述第一感光膜图案为多个长杆状图案横向排列的形状。

优选地，所述第一感光膜图案的长杆状形状的一侧端部与所述连接部件相对应。

优选地，已制作图案的所述绝缘膜覆盖所述沟道氧化膜及连接部件。

优选地，所述金属牺牲膜不覆盖所述沟道氧化膜。

优选地，进一步包括，在所述贯通孔的周边形成辅助沟道氧化膜的步骤，并且所述辅助沟道氧化膜的长度方向垂直于所述沟道氧化膜的长度方向。

优选地，蚀刻所述支撑基板的一部分，形成弯曲空间的步骤包括：蚀刻所述金属牺牲膜，在所述横杆和所述支撑基板之间形成空间的步骤；蚀刻通过所述空间而暴露的支撑基板，以形成弯曲空间的步骤。