[发明专利]一种高端驱动电路的实现方法及电路

权利要求书

1.一种高端驱动电路的实现方法，其特征在于，利用控制芯片发出的控制信号，经过死区设置电路，设置合适的死区后，再经过推挽放大电路，增加驱动能力，然后经过隔离变压器，形成包含高端驱动信号的驱动上下对管的对称信号。

2.一种高端驱动电路，其特征在于，包括：死区设置电路(401)、推挽电路(402)、隔离变压电路(403)依次连接；所述死区设置电路(401)包括第一电阻(R1)、第一电容(C1)、第一MOS管(Q1)，所述第一电容(C1)的一端连接控制芯片的输出信号，另一端通过第一电阻(R1)接地；所述第一MOS管(Q1)的栅极与第一电阻(R1)和第一电容(C1)的中点电连接，其漏极与所述第一电容(C1)的一端电连接，其源极接地；所述隔离变压电路(403)包括第一二级管(D1)、第二二级管(D2)、第四MOS管(Q4)、和隔离变压器(T1)；所述第二二级管(D2)的阴极与所述推挽电路(402)的电源(vcc)相连，其阳极与第四MOS管(Q4)的漏极相连，第四MOS管(Q4)的栅极与第一二级管(D1)的阴极电连接，第四MOS管(Q4)的源极与第一二级管(D1)的阳极相连并接地；所述隔离变压器(T1)的原边一端与第一二级管(D1)的阴极相连并与所述推挽电路(402)的输出端相连，其另一端与第四MOS管(Q4)的漏极相连；隔离变压器(T1)的副边接输出端。

3.根据权利要求2所述的高端驱动电路，其特征在于，推挽电路(402)包括第二三级管(Q2)、第三三级管(Q3)、电源(vcc)；所述第二三级管(Q2)的集电极接电源(vcc)输入端并与所述第二二级管(D2)的阴极相连，其基极与第三三级管(Q3)的基极相连后与所述第一MOS管(Q1)的漏极相连；所述第二三级管(Q2)的发射极与第三三级管(Q3)的发射极相连，其连接点与所述第一二级管(D1)的阴极相连；第三三级管(Q3)的集电极接地。

4.根据权利要求2或3所述的高端驱动电路，其特征在于，低端驱动电路(404)；低端驱动电路(404)包括第二电阻(R2)、第五MOS管(Q5)、第二电容(C2)、第六三级管(Q6)、第七三级管(Q7)；所述第五MOS管(Q5)的栅极与控制芯片的输出信号电连接，其源极接地，其漏极与所述第二电容(C2)的一端电连接，所述第二电容(C2)的另一端接地，所述第六三级管(Q6)的集电极通过第二电阻(R2)与所述第二电容(C2)的一端相连，所述第六三级管(Q6)的集电极接电源输入端(vcc)，第六三级管(Q6)的基极与所述第七三级管(Q7)的基极并联在第二电阻(R2)与第二电容(C2)的中点上，所述第六三级管(Q6)的发射极与所述第七三级管(Q7)的发射极相连，所述第七三级管(Q7)的集电极和第七三级管(Q7)的发射极接输出端。

5.根据权利要求3所述的高端驱动电路，其特征在于，所述死区设置电路(401)还包括第三电阻(R3)、第四电阻(R4)，所述第一MOS管(Q1)的漏极通过所述第三电阻(R3)连接在控制芯片的输出信号上，所述第四电阻(R4)的一端与第一MOS管(Q1)的栅极相连，另一端连接在第一电容(C1)与第一电阻(R1)的中点。

6.根据权利要求5所述的高端驱动电路，其特征在于，所述隔离变压电路(403)还包括第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)，所述第四MOS管(Q4)的栅极通过第五电阻(R5)与第一二级管(D1)的阴极相连；所述第六电阻(R6)与第七电阻(R7)串联后并联在隔离变压器(T1)的副边；所述第七电阻(R7)与输出端并联。

7.根据权利要求6所述的高端驱动电路，其特征在于，所述推挽电路(402)还包括第三电容(C3)，所述第三电容(C3)的一端接地，另一端接电源输入(vcc)端。

8.根据权利要求4所述的高端驱动电路，其特征在于，所述低端驱动电路(404)还包括第八电阻(R8)、第九电阻(R9)，所述第五MOS管(Q5)的栅极通过第八电阻(R8)与控制芯片的输出信号相连；第五MOS管(Q5)的漏极通过第九电阻(R9)与所述第二电容(C2)的一端相连；第五MOS管(Q5)的源极与第二电容(C2)的另一端相连并接地。

9.根据权利要求8所述的高端驱动电路，其特征在于，所述低端驱动电路(404)还包括第十电阻(R10)、第十一电阻(R11)，所述第十电阻(R10)与第十一电阻(R11)串联后一端与所述第七三级管(Q7)的发射极相连，另一端与所述第七三级管(Q7)的集电极相连；所述第十一电阻(R11)与输出端并联。