[发明专利]一种高端驱动电路的实现方法及电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种高端驱动电路及实现方法，尤其涉及一种适合于上下对管的高端驱动电路及实现方法。

背景技术

高端驱动是开关电源拓扑中经常遇到的问题，例如谐振电路，有源钳位电路，半桥电路等。高端驱动解决的好于坏，直接关系到开关电源的性能和可靠性。

现有的开关电源的高端驱动的方法有以下几种：

一、自带高端驱动的芯片

随着技术的进步，目前市场上出现了很多自带高端驱动的芯片。这种方式优点是使用简单，外围电路简单。缺点是成本较高，而且由于是高度集成芯片，其驱动电流一般不大，不适合大功率电源。

二、使用驱动芯片来实现高端驱动

如图1所示，这种方式的优点是使用方便，IC可替换性增强。缺点是外围电路较复杂，需要控制IC给出一对对称的信号，而且成本也比较高。

三、使用驱动电路实现高端驱动

如图2所示，这种方式在一些通信电源中用到，比较好的解决了高端驱动的问题。这种方法的优点是可以适合大功率电源，驱动能力强。缺点是电路比较复杂，而且需要一对对称信号输入。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种高端驱动电路及实现方法。

为解决上述技术问题，本发明的目的是通过以下技术方案实现的。

一种高端驱动电路的实现方法，利用控制芯片发出的控制信号，经过死区设置电路，设置合适的死区后，再经过推挽放大电路，增加驱动能力，然后经过隔离变压器，形成包含高端驱动信号的驱动上下对管的对称信号。

一种高端驱动电路，包括：死区设置电路(401)、推挽电路(402)、隔离变压电路(403)依次连接；所述死区设置电路(401)包括第一电阻(R1)、第一电容(C1)、第一MOS管(Q1)，所述第一电容(C1)的一端连接控制芯片的输出信号，另一端通过第一电阻(R1)接地；所述第一MOS管(Q1)的栅极与第一电阻(R1)和第一电容(C1)的中点电连接，其漏极与所述第一电容(C1)的一端电连接，其源极接地；所述隔离变压电路(403)包括第一二级管(D1)、第二二级管(D2)、第四MOS管(Q4)、和隔离变压器(T1)；所述第二二级管(D2)的阴极与所述推挽电路(402)的电源(vcc)相连，其阳极与第四MOS管(Q4)的漏极相连，第四MOS管(Q4)的栅极与第一二级管(D1)的阴极电连接，第四MOS管(Q4)的源极与第一二级管(D1)的阳极相连并接地；所述隔离变压器(T1)的原边一端与第一二级管(D1)的阴极相连并与所述推挽电路(402)的输出端相连，其另一端与第四MOS管(Q4)的漏极相连；隔离变压器(T1)的副边接输出端。

其中，推挽电路(402)包括第二三级管(Q2)、第三三级管(Q3)、电源(vcc)；所述第二三级管(Q2)的集电极接电源(vcc)输入端并与所述第二二级管(D2)的阴极相连，其基极与第三三级管(Q3)的基极相连后与所述第一MOS管(Q1)的漏极相连；所述第二三级管(Q2)的发射极与第三三级管(Q3)的发射极相连，其连接点与所述第一二级管(D1)的阴极相连；第三三级管(Q3)的集电极接地。

其中，低端驱动电路(404)；低端驱动电路(404)包括第二电阻(R2)、第五MOS管(Q5)、第二电容(C2)、第六三级管(Q6)、第七三级管(Q7)；所述第五MOS管(Q5)的栅极与控制芯片的输出信号电连接，其源极接地，其漏极与所述第二电容(C2)的一端电连接，所述第二电容(C2)的另一端接地，所述第六三级管(Q6)的集电极通过第二电阻(R2)与所述第二电容(C2)的一端相连，所述第六三级管(Q6)的集电极接电源输入端(vcc)，第六三级管(Q6)的基极与所述第七三级管(Q7)的基极并联在第二电阻(R2)与第二电容(C2)的中点上，所述第六三级管(Q6)的发射极与所述第七三级管(Q7)的发射极相连，所述第七三级管(Q7)的集电极和第七三级管(Q7)的发射极接输出端。

其中，所述死区设置电路(401)还包括第三电阻(R3)、第四电阻(R4)，所述第一MOS管(Q1)的漏极通过所述第三电阻(R3)连接在控制芯片的输出信号上，所述第四电阻(R4)的一端与第一MOS管(Q1)的栅极相连，另一端连接在第一电容(C1)与第一电阻(R1)的中点。