[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，其包括：一基板，且该基板的第一表面设置有多个导 电迹线；至少一半导体预封装件设置于该基板上，该半导体预封装件与所 述多个导电迹线设置于该基板上的同一表面，且与该多个导电迹线电连 接；至少一电磁屏蔽层设置于所述至少一半导体预封装件上，并将该至少 一半导体预封装件的顶面以及侧面均覆盖；一保护层覆盖于该至少一电磁 屏蔽层上，其特征在于，所述的电磁屏蔽层包括一碳纳米管薄膜结构。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述的碳纳米管薄膜结 构包括至少一个碳纳米管层，且该碳纳米管层中的碳纳米管沿同一方向择 优取向排列。

3.如权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，所述的碳纳米管薄膜结 构包括至少两个重叠设置的碳纳米管层，相邻两个碳纳米管层之间通过范 德华力紧密连接，且相邻两个碳纳米管层中的碳纳米管的排列方向形成一 夹角α，0°≤α≤90°。

4.如权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，所述碳纳米管层包括一 碳纳米管薄膜或至少两个平行且无间隙排列的碳纳米管薄膜，且相邻两个 碳纳米管薄膜之间通过范德华力紧密连接。

5.如权利要求4所述的半导体封装件，其特征在于，所述碳纳米管薄膜的厚 度为0.01微米～100微米。

6.如权利要求4所述的半导体封装件，其特征在于，所述的碳纳米管薄膜包 括多个首尾相连且择优取向排列的碳纳米管束，且所述的碳纳米管束之间 通过范德华力紧密连接。

7.如权利要求6所述的半导体封装件，其特征在于，所述的碳纳米管束包括 多个具有相同长度且相互平行排列的碳纳米管。

8.如权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于，所述的碳纳米管为单壁 碳纳米管、双壁碳纳米管及多壁碳纳米管中的一种。

9.如权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于，所述的碳纳米管的长度 为200微米～400微米，直径小于50纳米。

10.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，所述的碳纳米管薄膜结 构中包括均匀且规则分布的微孔结构，且该微孔的直径为1纳米～0.5微 米。

11.如权利要求10所述的半导体封装件，其特征在于，所述的电磁屏蔽层进 一步包括金属填充颗粒设置于该碳纳米管薄膜结构中。

12.如权利要求11所述的半导体封装件，其特征在于，所述的金属填充颗粒 均匀分散于碳纳米管薄膜结构中的微孔中或夹在相邻两个碳纳米管层之 间。

13.如权利要求11所述的半导体封装件，其特征在于，所述的金属填充颗粒 的平均粒径小于1微米。

14.如权利要求11所述的半导体封装件，其特征在于，所述的金属填充颗粒 包括一多孔性金属颗粒或多孔性合金颗粒。

15.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述的半导体预封装件 包括一半导体芯片，且该半导体芯片包括多个焊垫设置于该半导体芯片 上；多个焊线，且该多个焊线将半导体芯片的焊垫与基板上对应的导电 迹线电性连接；一封装胶层包覆于该半导体芯片及多个焊线上。

16.如权利要求15所述的半导体封装件，其特征在于，所述的封装胶层的材 料为一树脂材料。

17.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述的半导体封装件包 括一个电磁屏蔽层及多个半导体预封装件，且该电磁屏蔽层将该多个半 导体预封装件覆盖。

18.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述的半导体封装件包 括多个电磁屏蔽层及多个半导体预封装件，且每一个电磁屏蔽层将一个 对应的半导体预封装件覆盖。

19.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述的基板进一步包括 多个引脚设置于基板上与第一表面相对的第二表面上，且该多个引脚与 所述多个导电迹线对应电连接。

20.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述的半导体封装件进 一步包括一散热片设置于保护层上。