[发明专利]半导体封装件

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装件，尤其涉及一基于碳纳米管的半导体封装 件。

背景技术

随着电子工业的进步与数字时代的到来，消费者对于电子产品的功能要 求也日渐提高。因此，如何提高半导体制造与集成电路设计的技术，制造功 能更强大的高频芯片，已成为目前研究的重要课题。对于采用高频芯片的半 导体封装件而言，其运行过程中会产生极为严重的电磁波问题(请参见， Application of a Model-free Algorithm for the Packing Irregular Shaped Objects in Semiconductor Manufacture，International Conference on Robtics & Automation，P1545-1550，(2000))。这是由于高频芯片运算与传输时产生的很 强的电磁波往往会通过半导体封装件传到外界，造成周围电子装置的电磁干 扰(EMI，Electro Magnetic Interference)问题。同时，也会降低半导体封装 件的电性品质与散热效能，成为采用高频芯片的半导体封装件的一大问题。

请参阅图1，现有技术提供一种半导体封装件10，其包括：一基板102， 且该基板102上设置有多个导电迹线(图中未显示)以及与该导电迹线相连的 多个引脚116；一半导体芯片104设置于该基板102上，且该半导体芯片104 包括多个焊垫(图中未显示)设置于该半导体芯片104上；多个焊线106，且 该多个焊线106将半导体芯片104的焊垫与基板102上对应的导电迹线电性 连接；一封装胶层108包覆于该半导体芯片104及多个焊线106上；一电磁 屏蔽层110设置于封装胶层108外，并将整个封装胶层108覆盖；一保护层 112设置于电磁屏蔽层110外，并将整个电磁屏蔽层110覆盖。将该电磁屏 蔽层110接地，通过该电磁屏蔽层110可以隔绝电磁波，从而阻止半导体芯 片104运行时产生的电磁波传到外界，起到电磁屏蔽功效。

传统的半导体封装件10中，电磁屏蔽层110通常为一金属层(如：铜 层、铁层)、合金层(如：镍铁合金、铁钴合金等)或填充有多孔性金属粒 子的有机材料层。该有机材料可以是与所述封装胶层108的材料相同或不同 的树脂材料。

然而，采用金属或合金制备的电磁屏蔽层110虽然可以阻止半导体芯片 104运行时产生的电磁波传到外界，但是，无法吸收电磁波。所以，会出现 电磁波在半导体封装件10内不断反射的现象。这些电磁波不但会影响半导 体芯片104与焊线106的电性传输品质，而且随着电磁波能量的衰减，会在 半导体封装件10内产生大量的热能，从而增加了该半导体封装件10的散热 负担。另外，采用金属或合金层作为电磁屏蔽层110制备半导体封装件10， 重量较沉，使用不便。

采用填充有多孔性金属粒子的有机材料制备的半导体封装件10的电磁 屏蔽层110通常采用印刷技术制备形成，所以受制备工艺限制，其厚度不能 太薄。另外，采用填充有多孔性金属粒子的有机材料制备的电磁屏蔽层110， 导电性与散热性能较差，而且重量较沉，使用不便。

有鉴于此，确有必要提供一种能够有效吸收电磁波，且散热性能优良， 重量轻，使用方便的半导体封装件。

发明内容

一种半导体封装件，其包括：一基板，且该基板的第一表面设置有多个 导电迹线；至少一半导体预封装件设置于该基板上，该半导体预封装件与所 述多个导电迹线设置于该基板上的同一表面，且与该多个导电迹线电连接； 至少一电磁屏蔽层设置于所述至少一半导体预封装件上；一保护层覆盖于该 至少一电磁屏蔽层上，其中，所述的电磁屏蔽层包括一碳纳米管薄膜结构。

相交于现有技术，本技术方案提供的半导体封装件采用碳纳米管薄膜结 构制备电磁屏蔽层，能够有效吸收电磁波，且导电性与散热性能优良，重量 轻，使用方便。

附图说明

图1为现有技术中的半导体封装件的结构示意图。

图2为本技术方案第一实施例的半导体封装件的结构示意图。

图3为本技术方案第二实施例的半导体封装件的结构示意图。

图4为本技术方案第三实施例的半导体封装件的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本技术方案作进一步的详细说明。