[发明专利]有机电致发光器件及其制造方法有效
申请号: | 200710126002.5 | 申请日: | 2007-06-29 |
公开(公告)号: | CN101207075A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 蔡基成;金圣姬 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于制造有机电致发光器件的方法,包括:
在具有子像素的基板上形成第一电极和第一载流子传输层,该子像素包括用于第一颜色的第一发光区域、用于第二颜色的第二发光区域、和用于第三颜色的第三发光区域;
使用第一疏水材料在第一发光区域中形成第一颜色发光层;
使用第二疏水材料在第二发光区域中形成第二颜色发光层;
在第一、第二和第三发光区域中或第三发光区域中形成第三颜色发光层;
在第三发光区域上形成第二载流子传输层;以及
在第二载流子传输层上形成第二电极。
2.根据权利要求1所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述形成第一颜色发光层的步骤包括:
从第二和第三发光区域的第一载流子传输层上的第一疏水溶液中形成第一疏水材料;
在第一发光区域的第一载流子传输层上形成第一亲水材料;以及
从第一亲水材料上的第一亲水溶液中形成第一颜色发光层。
3.根据权利要求2所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述形成第一疏水材料的步骤包括将第一疏水溶液印刷到第一载流子传输层上。
4.根据权利要求2所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,还包括在形成第一颜色发光层之后从第一载流子传输层去除第一疏水材料。
5.根据权利要求2所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述第一亲水溶液包括散布在有机溶剂中的小分子材料。
6.根据权利要求5所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述小分子是硒化镉、碲化镉或磷化铟之一。
7.根据权利要求1所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述形成第二颜色发光层的步骤包括:
从第一颜色发光层和第三发光区域中的第一载流子传输层上的第二疏水溶液中形成第二疏水材料;
在第二发光区域中的第一载流子传输层上形成第二亲水材料;以及
从第二亲水材料上的第二亲水溶液中形成第二颜色发光层。
8.根据权利要求7所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述形成第二疏水材料的步骤包括将第二疏水溶液印刷到第三颜色发光区域中的第一载流子传输层上和第一颜色发光层上。
9.根据权利要求7所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,还包括在形成第二颜色发光层之后从第一载流子传输层和第一颜色发光层去除第二亲水材料。
10.根据权利要求7所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述第二亲水溶液包括散布在有机溶剂中的小分子材料。
11.根据权利要求10所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述小分子材料是硒化镉、碲化镉或磷化铟之一。
12.根据权利要求1所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述形成第三颜色发光层的步骤包括:
在第三发光区域中的第一载流子传输层、第一颜色发光层和第二颜色发光层上形成第三亲水材料;
从第三亲水材料上的第三亲水溶液中形成第三颜色发光层。
13.根据权利要求12所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述第三亲水溶液包括散布在有机溶剂中的小分子材料。
14.根据权利要求13所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述小分子材料是硒化镉、碲化镉或磷化铟之一。
15.根据权利要求1所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述形成第三颜色发光层的步骤包括:
在第一和第二颜色发光层上形成第三疏水材料;
在第三发光区域中的第一载流子传输层上形成第三亲水材料;以及
从第三亲水材料上的第三亲水溶液中形成第三颜色发光层。
16.根据权利要求15所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述第三亲水溶液包括散布在有机溶剂中的小分子材料。
17.根据权利要求16所述的用于制造有机电致发光器件的方法,其特征在于,所述小分子材料是硒化镉、碲化镉或磷化铟之一。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造