[发明专利]有机电致发光器件及其制造方法有效
申请号: | 200710126002.5 | 申请日: | 2007-06-29 |
公开(公告)号: | CN101207075A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 蔡基成;金圣姬 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制造 方法 | ||
本申请要求享有2006年12月20日提出的申请号为No.P2006-130662的韩国专利申请的优先权,在此结合其全部内容作为参考。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种显示器件,尤其是,涉及一种有机电致发光器件及其制造方法。
背景技术
平板显示器的一种代表性示例是重量轻和功耗小的液晶显示(LCD)器件。从而,LCD器件在整个世界已经广泛的用于平板显示器。然而,LCD器件不是发光器件。即,对于LCD器件需要采用额外的光源,例如背光单元来发光。同时,LCD器件在亮度、对比度、和视角方面具有技术局限性,并且在增加有效显示区域的大小方面存在困难。为了解决上述问题,很多开发者对于改进的平板显示器进行透彻的研究。
有机电致发光器件是一种自发光器件。有机电致发光器件具有优于LCD器件的理想的视角和对比度。不需要使用背光。有机电致发光器件可以制造的尺寸小、重量轻、并且厚度薄。同时,有机电致发光器件具有优于LCD器件的功耗。例如,有机电致发光器件可以用DC低电压驱动,具有快速的响应速度,因为其由固体制成,因此具有对外界碰撞很强的抵抗力,具有宽范围的可适应的温度,并且由低价的元件构成。因此,有机电致发光器件优于液晶显示(LCD)器件。
有机电致发光器件的制造工序不同于液晶显示(LCD)和等离子显示面板(PDP),主要由沉积工序和封装工序组成,从而有机电致发光器件的制造工序被认为非常简单。
图1示出了现有技术的有机电致发光器件的单位像素的能带(band)的示意图。参照图1,有机电致发光器件包括位于阳极1和阴极7之间的空穴传输层3(也称为空穴传输层)、发光层4(也称为发光层)、和电子传输层5(也称为电子传输层)。为了有效注入空穴和电子,有机电致发光器件还可以包括位于电子传输层5和阴极7之间的空穴注入层2和电子注入层6。这样,从阳极1向空穴注入层2和空穴传输层3发射空穴,然后将其注入发光层4。从阴极7向电子注入层6和电子传输层5发射电子,然后将其注入发光层4。空穴和电子形成激子8,从而激子8产生对应于电子和空穴之间的能量的光。
阳极1是从具有高功函的透明导电材料中选择,例如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、和ITZO(氧化铟锡锌),从而光通过阳极1。阴极7从具有低功函的化学性稳定的金属中选择。
上述有机电致发光器件可以为各像素形成具有三种颜色(红、绿、蓝)之一的发光层。发光层主要由发光材料构成。
在上述发光材料的制造工序中,因为单独颜色区域的发光材料具有不同的干燥时间和不同的粘度,因此在发光层中出现不规则图案,从而发光层不适合于几微米的精细的发光层并且在发光层的边缘部分的附近会出现意想不到的混合颜色,导致颜色纯度的恶化。
发明内容
因此,本发明的实施方式涉及一种有机电致发光器件及其制造方法,其基本上消除由于现有技术的局限性和缺陷引起的一个或多个问题。
本发明的实施方式的一个目的在于提供一种具有几微米的精细的发光层的有机电致发光器件及其制造方法。
本发明的另一个目的在于提供一种在发光层的各颜色中具有提高的颜色纯度的有机电致发光器件及其制造方法。
本发明的其它优点、目的和特征将在说明书中阐明,熟悉本领域的技术人员从说明书可以明白,或可以通过本发明的实施方式理解。本发明的目的和其它优点将通过说明书和权利要求书以及附图所指出的结构来实现和获得。
为了获得这些目的和其它的优点并根据本发明的目的,如在此具体和广泛描述的,一种用于制造有机电致发光器件的方法,包括:在具有子像素的基板上形成第一电极和第一载流子传输层,该子像素包括用于第一颜色的第一发光区域、用于第二颜色的第二发光区域、和用于第三颜色的第三发光区域;使用第一疏水材料在第一发光区域中形成第一颜色发光层;使用第二疏水材料在第二发光区域中形成第二颜色发光层;在第一、第二和第三发光区域中或第三发光区域中形成第三颜色发光层;在第三发光区域上形成第二载流子传输层;以及在第二载流子传输层上形成第二电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG.菲利浦LCD株式会社,未经LG.菲利浦LCD株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造