[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

衬底；

隔离结构，在该半导体衬底中，其中该隔离结构于该半导体衬底中定义区域；

第一半导体区，其至少一部分在通过该隔离结构所定义的该区域中，其中该第一半导体区具有第一导电型；

第二半导体区，在第一半导体区上，其中该第二半导体区具有与第一导电型相反的第二导电型；以及

具有第一导电型的第三半导体区，在该第二半导体区上，其中该第三半导体区的至少一部分高于该隔离结构的上表面。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电型为P型，且该第二导电型为N型。

3.如权利要求1所述的半导体结构，还包含：电阻感测型存储单元，实质上选自由相变化存储单元、自旋转移磁矩存储单元、磁性隧道结存储单元、穿隧磁阻存储单元及巨磁阻存储单元所组成的族群。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一半导体区与该衬底，掺杂具有相同杂质浓度的相同杂质。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一半导体区具有上表面，该上表面实质上与该隔离结构的上表面齐平。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一半导体区具有上表面，该上表面高于该隔离结构的上表面。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一半导体区具有上表面，该上表面低于该隔离结构的上表面。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其中该第二半导体区具有上表面，该上表面低于该隔离结构的上表面。

9.如权利要求1所述的半导体结构，还包含：硅化区，在该第三半导体区上。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一半导体区与该衬底之间具有界面，该界面高于该隔离结构的下表面。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其中该界面与该隔离结构的下表面之间具有垂直距离，该垂直距离不少于该隔离结构的深度的3/4。

12.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

垂直的双极性晶体管，其至少一部分在该衬底中，包括：

第一导电型的第一区域；

第二区域，在该第一区域上，其中该第二区域具有与该第一导电型相反的第二导电型；以及

具有第一导电型的第三区域，在该第二区域上，其中该第三区域的至少一部分高于衬底的上表面。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其中：

该垂直的双极性晶体管为PNP型晶体管。

14.如权利要求12所述的半导体结构，其中：

该垂直的双极性晶体管为NPN型晶体管。

15.如权利要求12所述的半导体结构，还包含：电阻感测型存储单元，其中该垂直的双极性晶体管的发射极连接至该相变化存储单元的电极。

16.如权利要求15所述的半导体结构，其中该垂直的双极性晶体管实质上被介电材料所围绕。

17.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

隔离结构，在该半导体衬底中，其中该隔离结构于该半导体衬底中定义区域；

第一P型区，其至少一部分在通过该隔离结构所定义的该区域中；

N型区，在该第一P型区上；

第二P型区，在该N型区上，其中该第二P型区的至少一部分高于该隔离结构的上表面；

硅化区，在该第二P型区上；以及

电阻感测型存储单元，包括：

第一电极，以电子连接至该硅化区；

第二电极；以及

电阻感测型元件，介于该第一电极与该第二电极之间。

18.如权利要求17所述的半导体结构，其中该第一P型区的下表面高于该隔离结构的下表面。

19.如权利要求17所述的半导体结构，其中至少一部分的该隔离结构围绕至少一部分的该第一P型区。