[发明专利]有机发光显示器件

权利要求书

1.一种有机发光显示器件，包括：

基底；

该基底上的第一缓冲层和位于该第一缓冲层上的第二缓冲层；

第二缓冲层上的薄膜晶体管；

与该薄膜晶体管电连接的有机发光二极管；以及

第二缓冲层上的具有本征特性区域的光电传感器，其中光电传感器能够吸收有机发光二极管的红光并显示出50％至90％的量子效率，

其中，第一缓冲层具有2900埃至3100埃的厚度，第二缓冲层具有200埃至400埃的厚度，而本征特性区域具有3微米至10微米的宽度。

2.如权利要求1所述的有机发光显示器件，其特征在于，第一缓冲层具有3000埃的厚度，而第二缓冲层具有300埃的厚度。

3.一种有机发光显示器件，包括：

基底；

该基底上的第一缓冲层和位于该第一缓冲层上的第二缓冲层；

第二缓冲层上的薄膜晶体管；

与该薄膜晶体管电连接的有机发光二极管；以及

第二缓冲层上的具有本征特性区域的光电传感器，其中光电传感器能够吸收有机发光二极管的红光并显示出50％至90％的量子效率，

其中，第一缓冲层具有700埃至900埃的厚度，第二缓冲层具有100埃至300埃的厚度，而本征特性区域具有4微米至10微米的宽度。

4.如权利要求3所述的有机发光显示器件，其特征在于，第一缓冲层具有800埃的厚度，而第二缓冲层具有200埃的厚度。

5.一种有机发光显示器件，包括：

基底；

该基底上的第一缓冲层和位于该第一缓冲层上的第二缓冲层；

第二缓冲层上的薄膜晶体管；

与该薄膜晶体管电连接的有机发光二极管；以及

第二缓冲层上的具有本征特性区域的光电传感器，其中光电传感器能够吸收有机发光二极管的红光并显示出50％至90％的量子效率，

其中，第一缓冲层具有700埃至900埃的厚度，第二缓冲层具有300埃至500埃的厚度，而本征特性区域具有5微米至10微米的宽度。

6.如权利要求5所述的有机发光显示器件，其特征在于，第一缓冲层具有800埃的厚度，而第二缓冲层具有400埃的厚度。

7.如权利要求1、3或5中任意一项所述的有机发光显示器件，其特征在于，有一栅极绝缘层设置于第二缓冲层上，该栅极绝缘层其中一部分定位于薄膜晶体管和光电传感器两者间。

8.如权利要求1、3或5中任意一项所述的有机发光显示器件，其特征在于，第一缓冲层包括二氧化硅。

9.如权利要求1、3或5中任意一项所述的有机发光显示器件，其特征在于，第二缓冲层包括氮化硅。

10.如权利要求1、3或5中任意一项所述的有机发光显示器件，其特征在于，光电传感器其本征特性区域位于N型掺杂区域和P型掺杂区域两者间，N型掺杂区域和P型掺杂区域处于第二缓冲层的相同平面上。

11.如权利要求1、3或5中任意一项所述的有机发光显示器件，其特征在于，光电传感器能够将所述红光转换为电信号。

12.如权利要求11所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述电信号能够控制有机发光二极管所发出光的亮度。

13.如权利要求1、3或5中任意一项所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述红光具有645纳米至700纳米的波长。

14.如权利要求1、3或5中任意一项所述的有机发光显示器件，其特征在于，有机发光二极管包括透明阳极。

15.如权利要求1、3或5中任意一项所述的有机发光显示器件，其特征在于，有机发光二极管是背后型有机发光二极管。

16.一种便携式电子装置，包括的有机发光显示器件具有：基底；该基底上的第一缓冲层和位于该第一缓冲层上的第二缓冲层；薄膜晶体管；与该薄膜晶体管电连接的有机发光二极管；以及光电传感器，其中光电传感器能够吸收有机发光二极管的红光并显示出50％至90％的量子效率，其中，第一缓冲层具有2900埃至3100埃的厚度，第二缓冲层具有200埃至400埃的厚度，而本征特性区域具有3微米至10微米的宽度。