[发明专利]有机发光显示器件有效
申请号: | 200710126428.0 | 申请日: | 2007-06-07 |
公开(公告)号: | CN101086999A | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 梁善芽;吴允哲;李垠政;姜垣锡 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李湘;梁永 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 器件 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光显示器件。具体来说,本发明涉及具有能够控制其亮度的光电传感器,同时显示出50%至90%的总体量子效率的有机发光显示器件。
背景技术
总体来说,有机发光显示器件为一平板显示器件,其中电压可加到介于两个电极即阳极电极和阴极电极两者间的多层上,来合并电子和空穴以形成图像。具体来说,现有的有机发光显示设备可以包括电极两者间的空穴注入层、空穴输运层、至少一个有机发光层、电子注入层、以及电子输运层。因而,各空穴可以从阳极电极注入到空穴注入层中,从而所注入的各空穴可以通过空穴输运层输运至有机发光层。同样,各电子可以从阴极电极注入到电子注入层中,从而所注入的各电子可以通过电子输运层输运至有机发光层。所输运的各空穴和各电子可以在该有机发光层中相互合并以形成电子空穴对,由此发出可见光并形成图像。
现有有机发光显示器件的有机发光层会随时间而变差,由此造成其发光亮度降低和/或其彩色座标改变。该有机发光层其发光亮度的降低会造成有机发光显示器件其图像质量下降和总体寿命缩短。经过各种尝试以通过在其中结合光电传感器来改善有机发光显示器件的亮度。但现有光电传感器可具有的量子效率低于50%,因此对有机发光显示器件提供的亮度增强有限。
因而,存在对一种具有能够控制其亮度的光电传感器、同时显示出提高的量子效率的有机发光显示器件的需求。
发明内容
本发明因此涉及一种充分克服了现有技术其中一个或以上不足的有机发光显示器件。
因此,本发明其特点在于,提供一种具有能够控制彩色亮度的光电传感器同时显示出增强的量子效率的有机发光显示器件。
可通过提供一种有机发光显示器件来实现本发明上述和其他特征和优势其中的至少一个,该有机发光显示器件包括:基底;该基底上的第一缓冲层和第二缓冲层;第二缓冲层上的薄膜晶体管;与该薄膜晶体管电连接的有机发光二极管;以及第二缓冲层上的具有本征特性区域的光电传感器,其中光电传感器能够吸收有机发光二极管的红光并显示出约50%至约90%的量子效率。所吸收的红光可具有约645纳米至约700纳米的波长。
第一缓冲层可具有约2900埃至约3100埃的厚度,第二缓冲层可具有约200埃至约400埃的厚度,而本征特性区域可具有约3微米至约10微米的宽度。作为替代,第一缓冲层可具有约700埃至约900埃的厚度,第二缓冲层可具有约100埃至约300埃的厚度,而本征特性区域可具有约4微米至约10微米的宽度。另一替代方案中,第一缓冲层可具有约700埃至约900埃的厚度,第二缓冲层可具有约300埃至约500埃的厚度,而本征特性区域可具有约5微米至约10微米的宽度。
第一缓冲层可包括二氧化硅。第二缓冲层可包括氮化硅。光电传感器可包括无定形硅。
光电传感器其本征特性区域位于N型掺杂区域和P型掺杂区域两者间,其中所述本征特性区域、N型掺杂区域和P型掺杂区域可以在同一平面上。光电传感器能够将所吸收的红光转换为电信号。该电信号能够控制有机发光二极管所发出光的亮度。
有机发光二极管可以是背后型有机发光二极管。有机发光显示器件可以包括一设置于第二缓冲层上的栅极绝缘层,其中该栅极绝缘层其中一部分可定位于薄膜晶体管和光电传感器两者间。有机发光显示器件也可以在有机发光二极管中包括透明阳极。有机发光显示器件可以结合于便携式电子装置中。
附图简述
本发明的上述和/或其它方面和优点将通过以下结合附图的各个方面的描述变得更加清晰和更容易理解,附图包括:
图1示出根据本发明示范性实施例的具有光电传感器的有机发光显示器件的剖面图;
图2示出图1所示的光电传感器的量子效率的图表;
图3示出根据本发明另一示范性实施例的具有光电传感器的有机发光显示器件的剖面图;
图4示出图3所示的光电传感器的量子效率的图表;
图5示出根据本发明另一示范性实施例具有光电传感器的有机发光显示器件的剖面图;
图6示出图5所示的光电传感器的量子效率的图表;以及
图7和图8示出本发明实施例具有有机发光显示器件的示范性便携式电子装置的视图。
具体实施方式
2006年6月9日提交给韩国知识产权局的、名称为“有机发光显示器件”的韩国专利申请No.10-2006-0052158在此通过引用完整地结合于本文中。
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的