[发明专利]液晶板及电子设备

说明书

本申请是申请号为99102164.9、申请日为1999年2月9日的母案 申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管(以下称TFT)驱动等有源矩阵驱动方式的 液晶板及采用了该液晶板的电子设备。

背景技术

以往，在由作为开关元件的TFT控制多个按矩阵状设置的象素电 极的有源矩阵驱动方式的液晶板中，如图16所示，在TFT阵列基板上 设置着分别按纵横排列的多条扫描线3a和数据线6a、以及对应于其 各交点的多个TFT 30＇及通过接触孔8与该TFT电气连接的象素电极 9a。各TFT 30，的结构为，由从扫描线3a延伸的栅电极3a＇控制半导体 层1a的沟道区1a＇(图16中画有朝左上方的斜线的部分)，并将供给图 象信号的数据线6a通过接触孔5与半导体层1a的源区电气连接，将象 素电极9a与半导体层1a的漏区连接。特别是，由于象素电极9a设置 在构成TFT30＇、数据线6a及扫描线3a等的配线的各种层上、或用于 使该象素电极9a相互绝缘的层间绝缘膜上，所以，象素电极9a可通过 在层间绝缘膜等上开孔的接触孔8连接于TFT 30＇的漏区。

但是，在液晶板的技术领域内，为获得高分辨率的画质，对象素的 高精细化的要求越来越强烈，因而象素间距的微细化进程日益加速。这 样，当为了能通过提高象素密度显示高精细的图象及为了使液晶板的 尺寸小型化而如图16所示缩短象素间距L从而使其微细化时，构成非 开孔区域的各种配线间的距离也必然变窄。此外，作为液晶板的重要要 素的亮度，可以通过提高与图象显示区域对应的象素的开孔区域比率 即象素开孔率来实现，但当使象素微细化时，由于数据线和扫描线之类 的配线或作为开关元件的TFT的区域为非开孔区域，所以在象素开孔 率的提高上存在一定的限制。因此，即使象素微细化，也会因提高象素 开孔率而使连接象素电极和TFT用的接触孔与数据线和扫描线的间隔 变窄。所以，存在着使象素电极与各种配线短路并产生致命的象素缺 陷的可能性。

另外，重要的是，不仅使数据线和扫描线等配线宽度变细，而且作 为开关元件的TFT 30＇也应微细化，因而必须使半导体层1a的源区与数 据线6a的接触孔5及漏区与象素电极9a的接触孔8的尺寸分别实现 微细化。图17示出沿图16的D-D＇线的断面图、即TFT 30＇的断面图， 指示出接触孔8的开孔工序。在图17(a)中，在漏区1e上形成栅绝缘 膜2及层间绝缘膜4和7，然后，如图17(b)所示，在从光掩模303一侧 使抗蚀剂302曝光的正型抗蚀剂的情况下，受光照射部分的抗蚀剂302 感光，并将抗蚀剂302除去。然而，这里存在的问题是由栅电极3a＇在 层间绝缘膜4和7上产生的台阶高差。当为使TFT 30＇的尺寸微细化而 将接触孔8开在紧靠栅电极3a＇的位置时，在掩模曝光中将因该台阶高 差而发生光的不规则反射，从而产生使抗蚀剂沿图中箭头方向后缩这 样的不正常情况。因此，使抗蚀剂302被除去的图案直径大于光掩模 303上的不设遮光性铬膜304的部分、即接触孔开孔用的图案直径， 当如图17(c)所示对其进行蚀刻加工时，开孔直径将大于在光掩模303 上形成的接触孔开孔用的图案直径，因而存在着很难使接触孔8微细 化的问题。

另外，在液晶板技术领域中的显示图象高品位化及节能化的要求 下，必须提高使用微距透镜后的光利用效率，但在图16中示出的象以 往的象素那样的光透过区域，是由在对置基板上形成的遮光膜22限定 并使光在虚线包围的内侧透过的区域。象上述现有例那样，在光透过区 域不是相对于象素开孔部的中心成线对称的情况下，不能最大限度地 利用微距透镜的效果，因而不能获得足够的入射光利用效率。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而开发的，其目的是提供一种即使采用比 较简单的结构而使象素微细化也不会导致加工合格率及象素开孔率降 低的液晶板及备有该液晶板的电子设备。