[发明专利]一种热敏打印头及其制造方法无效
申请号: | 200710126581.3 | 申请日: | 2007-06-21 |
公开(公告)号: | CN101327691A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 王永华 | 申请(专利权)人: | 山东新北洋信息技术股份有限公司 |
主分类号: | B41J2/345 | 分类号: | B41J2/345;B41J2/335 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 264209山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 热敏 打印头 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种热敏打印头及其制造方法。
背景技术
通常,打印头的结构布线包括个别电极、共通电极。个别电极与共通电极宽度、厚度相同,电极的宽度一般为22.5μm。如图1所示,发热体3位于共通电极1和个别电极2的上方,共通电极1宽度W1与个别电极2的宽度W2相同,如图2所示,共通电极1厚度D1与个别电极2厚度D2相同。由于发热体3是一条连续的直线,因此这种结构的打印头打印出的点往往连在一起。同时,由于相邻发热体产生的热量相互影响,一个发热体内温度分布曲线不平坦,象素点形状不规则,影响了打印文字图形的清晰度。还有,在高速打印时由于打印周期短,散热时间少,发热体的热量积累较严重,从而产生拖尾现象,使打印质量下降。
发明内容
本发明的目的在于克服现有打印头不足,提供一种在高速打印情况下打印质量高的打印头。
为达到上述目的,本发明提供一种热敏打印头,其包括陶瓷基板、印刷电路板,陶瓷基板上设有共通电极、个别电极。其特征是相邻的共通电极的宽度大于个别电极的宽度。
优选的,相邻的共通电极的厚度大于个别电极的厚度。
优选的,共通电极的宽度W1为25μm<W1≤50μm,个别电极的宽度W2为10μm<W2≤15μm。
优选的,共通电极的厚度D1为0.2μm<D1≤2.0μm,个别电极的厚度D2为0.2μm<D2≤1.0μm
本发明还提供一种热敏打印头的制造方法,其特征在于首先采用金浆印刷、烧结、光刻等工艺制造出共通电极图形,然后再采用电镀工艺对共通电极厚度进行二次加工。
优选的,其步骤包括:
1)采用金浆印刷、烧结、光刻等工艺制造出所述共通电极图形,使所述共通电极的宽度W1达到25μm<W1≤50μm,厚度D1达到0.2μm<D1≤1.0μm。
2)采用电镀工艺对所述共通电极进行电镀,使所述共通电极的厚度增加ΔD,其中0μm<ΔD≤1.0μm。
由以上本发明技术方案可以看出,与现有技术相比,由于个别电极的宽度较小,在发热体横向被个别电极短路的区域减少,使一个发热体中有更多的区域有电流通过,从而使发热体的温度分布更加均匀;同时由于个别电极宽度小,通过个别电极散失的热量减小,有利于个别电极上部区域的热量积累,提高个别电极上部区域的温度,改善打印点的形状。
由于本发明共通电极宽度较大并且厚度较厚,而其材料是导热率很高的金属金,因此共通电极具有良好的导热性。当发热体发热结束后,其部分残余热量可通过共通电极迅速发散,减少了发热体的热量积累,减轻了拖尾现象;同时,由于本发明共通电极具有良好的导热性,在发热体发热时,共通电极上部的区域由于共通电极的散热作用而热量积累少、温度较低,使此处的发色浓度较低,从而使打印点相对独立,打印的图形更加清晰。
附图说明
图1是现有打印头局部结构示意图。
图2是图1所示A-A截面图。
图3是本发明打印头局部结构示意图。
图4是图3所示B-B截面图。
图5是图1所示现有打印头的发热体I区域温度分布和打印效果图。
图6是图3所示本发明打印头的发热体II区域温度分布和打印效果图。
具体实施方式
下面结合附图,对本发明进一步说明。
图3是本发明打印头局部结构示意图。图4是图3所示A-A截面图。下面结合图3、图4说明本发明打印头结构。如图3所示,本发明打印头结构包括:共通电极4、个别电极5、发热体6。
共通电极4在打印头工作时连接电源,为发热体6提供能量。共通电极4的宽度W1为:25μm<W1≤50μm,厚度D1为0.2μm<D1≤2.0μm,共通电极4材料采用金属金,金具有优良的导电性、导热性和化学稳定性,是制造打印头电极理想材料。
个别电极5在打印头工作时通过打印头控制电路与地相连。个别电极5的宽度W2为10μm<W2≤15μm,厚度D2为0.2μm<D2≤1.0μm。其材料也采用金属金。
下面介绍一下本发明一种热敏打印头制作方法:
当共通电极4厚度大于个别电极厚度5时,共通电极4的制造分两个步骤:
1)采用金浆印刷、烧结、光刻等工艺制造出共通电极图形,此时,共通电极4的宽度达到设计宽度,厚度D1达到0.2μm<D1≤1.0μm。
2)采用电镀工艺对共通电极4进行电镀,使其厚度D1增加ΔD,其中0μm<ΔD≤1.0μm。
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