[发明专利]半导体装置

权利要求书

1、一种半导体装置，在第一导电型半导体基板上具备MOS晶体管和电阻，其中，

所述MOS晶体管形成在所述半导体基板表面上形成的第二导电型阱层内，

在所述阱层上形成元件分离绝缘膜，

所述电阻包括：

第一导电型电阻层，其形成在与所述MOS晶体管形成的阱层相同的阱层内，并且形成在所述阱层的表面上；以及

导电层，其在所述阱层上，且包围所述电阻层并形成为环状，

在由所述元件分离绝缘膜包围的一个区域内形成有所述MOS晶体管和所述电阻这两者。

2、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述MOS晶体管的栅极形成为环状。

3、一种半导体装置，将权利要求1或2中任一项的半导体装置用作荧光显示管驱动电路的一部分，其中，

向所述MOS晶体管的源极和所述导电层施加电源电压，所述电阻的端子与负电压供给端子连接，并且从所述电阻的其他端子和所述MOS晶体管的漏极之间的连接点取出输出。