[发明专利]半导体器件、LED头和图像形成装置

说明书

技术领域

本发明涉及用作LED(发光二极管)阵列等的半导体器件，并且 还涉及LED头和包括该LED阵列的图像形成装置。

背景技术

电子照相图像形成装置使用包括组合的LED阵列芯片和驱动芯 片的LED头。LED阵列芯片包括LED的阵列，并且驱动芯片包括驱动 电路。

为了实现高分辨率，这种类型的图像形成装置采用包括半导体衬 底的LED头，在该半导体衬底上安装了多个LED阵列芯片和多个驱 动芯片。

为了减少将要安装的芯片的数目，提出了一种具有这样的结构的 半导体器件：其中半导体薄膜(其中预先形成LED元件)被接合到 其上形成了驱动电路的半导体衬底上。LED元件和驱动电路利用互连 图案电连接。例如在日本专利公开物No.2004-179641中公开了这 种半导体器件。

通过将多个半导体薄膜接合到形成在半导体晶片上的基底绝缘 层上并且通过切割该半导体晶片来制作这种类型的半导体器件。

然而，当如上所述在半导体器件的制作中切割半导体晶片时，切 割机可以在切断位置对基底绝缘层施加大的外力。因此，基底绝缘 层或层状膜(例如在切断位置附近形成在半导体衬底上的多层互连 等)的绝缘膜或金属膜可能从半导体衬底脱落并且可能破裂。此外， 根据基底绝缘层和在切断位置附近的层状膜中的任何一个的脱落， 存在半导体薄膜可能从基底绝缘层脱落的可能性。

发明内容

本发明的目的是提供能够防止基底绝缘层脱落的半导体器件，并 且提供利用该半导体器件的LED头和图像形成装置。

本发明提供利用切割半导体晶片制作的半导体器件。该半导体器 件包括衬底、形成在衬底上的基底绝缘层、形成在基底绝缘层上的 半导体元件、以及与基底绝缘层分开地形成在衬底的端部上的分离 图案部分。该分离图案部分防止在实施切割时基底绝缘层从衬底脱 落。

本发明还提供利用切割半导体晶片制作的半导体器件。该半导体 器件包括衬底、形成在衬底上的基底绝缘层、形成在基底绝缘层上 的半导体元件、以及将基底绝缘层的端部固定在衬底的端部的防脱 落图案部分。

根据下文给出的详细描述，本发明的另外的适用范围将变得显而 易见。然而，应当理解的是，仅借助图示给出了指示本发明的优选 实施例的详细描述和特定实例，因为对本领域技术人员而言根据该 详细描述在本发明的精神和范围内的多种变型和修改将变得明显。

附图说明

在附图中：

图1是示出根据本发明的实施例1的半导体器件的主要部分的平 面图；

图2是示出根据实施例1的半导体器件沿图1中示出的线II- II的截面图；

图3是示出根据实施例1的半导体器件的发光部分沿图1中示出 的线III-III的截面图；

图4是示出根据实施例1的半导体器件的半导体薄膜沿图1中示 出的线IV-IV的截面图；

图5是示出根据实施例1的半导体器件在切割过程中出现的破裂 的平面图；

图6A和6B是示出实施例1的第一修改及其变型的平面图；

图7是示出实施例1的第二修改的平面图；

图8是示出实施例1的第三修改的平面图；

图9是示出实施例1的第四修改的平面图；

图10是示出实施例1的第五修改的平面图；

图11是示出实施例1的第六修改的平面图；

图12是示出实施例1的第七修改的平面图；

图13是示出实施例1的半导体器件的发光部分的第一修改的截 面图；

图14是示出实施例1的半导体器件的发光部分的第二修改的截 面图；

图15是示出实施例1的半导体器件的发光部分的第三修改的截 面图；

图16是示出实施例1的半导体器件的发光部分的第四修改的截 面图；

图17是示出实施例1的另一修改的平面图；

图18是示出根据本发明的实施例2的半导体器件的平面图；

图19是示出根据实施例2的半导体器件沿图18中示出的线XIX -XIX的截面图；

图20是示出根据实施例2的半导体器件在切割过程中出现的破 裂的平面图；

图21是示出实施例2的第一修改的平面图；