[发明专利]发光二极管阵列模块的构装方法无效
申请号: | 200710127125.0 | 申请日: | 2007-06-28 |
公开(公告)号: | CN101335223A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 吴明哲 | 申请(专利权)人: | 环隆电气股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈肖梅;谢丽娜 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 阵列 模块 方法 | ||
1.一种发光二极管阵列模块的构装方法,其特征在于,包括下列步骤:
成形至少一凹槽于一驱动集成电路结构上;
设置至少一发光二极管阵列于该至少一凹槽内;以及
固化多个液态导电材料以分别形成多个电性连接于该驱动集成电路结构及该至少一发光二极管阵列之间的导电元件。
2.如权利要求1所述的发光二极管阵列模块的构装方法,其特征在于:该驱动集成电路结构从一已图案化的晶圆上切割下来。
3.如权利要求1所述的发光二极管阵列模块的构装方法,其特征在于:该至少一凹槽由蚀刻或机械加工所形成。
4.如权利要求1所述的发光二极管阵列模块的构装方法,其特征在于,更进一步包括:一黏着元件,其设置于该至少一发光二极管阵列与该驱动集成电路结构之间。
5.如权利要求4所述的发光二极管阵列模块的构装方法,其特征在于:该黏着元件为一银胶或聚合物。
6.如权利要求1所述的发光二极管阵列模块的构装方法,其特征在于:该设置至少一发光二极管阵列于该至少一凹槽内的步骤前,更进一步包括:成形一黏着元件于该至少一发光二极管阵列的下表面,以使得该黏着元件设置于该至少一发光二极管阵列与该驱动集成电路结构之间。
7.如权利要求1所述的发光二极管阵列模块的构装方法,其特征在于:该设置至少一发光二极管阵列于该至少一凹槽内的步骤前,更进一步包括:成形一黏着元件于该至少一凹槽的底面,以使得该黏着元件设置于该至少一发光二极管阵列与该驱动集成电路结构之间。
8.如权利要求1所述的发光二极管阵列模块的构装方法,其特征在于:该驱动集成电路结构具有多个驱动集成电路焊垫,并且该至少一发光二极管阵列具有多个相对应所述的驱动集成电路焊垫的发光二极管焊垫,所述的导电元件分别电性连接于相对应的驱动集成电路焊垫与发光二极管焊垫之间。
9.如权利要求8所述的发光二极管阵列模块的构装方法,其特征在于:所述的驱动集成电路焊垫及所述的发光二极管焊垫皆排列成一直线形状。
10.如权利要求8所述的发光二极管阵列模块的构装方法,其特征在于:所述的驱动集成电路焊垫以彼此交错的方式排列而成,并且所述的发光二极管焊垫亦以彼此交错的方式排列而成。
11.如权利要求8所述的发光二极管阵列模块的构装方法,其特征在于:该至少一发光二极管阵列具有多个分别电性连接于所述的发光二极管焊垫的发光二极管晶粒,并且每一个发光二极管晶粒的正极端及负极端分别电性连接于两个相对应的发光二极管焊垫。
12.如权利要求8所述的发光二极管阵列模块的构装方法,其特征在于:该固化所述的液态导电材料以形成所述的导电元件的步骤前,更进一步包括:
形成一绝缘层于该驱动集成电路结构及该至少一发光二极管阵列上;以及
图案化该绝缘层,以形成一用于覆盖该至少一发光二极管阵列与该驱动集成电路结构之间的宽度间隙及暴露出所述的驱动集成电路焊垫与所述的发光二极管焊垫的图案化绝缘层。
13.如权利要求12所述的发光二极管阵列模块的构装方法,其特征在于:该固化所述的液态导电材料以形成所述的导电元件的步骤包括:
通过印刷或涂布的方式,将所述的液态导电材料分别形成于相对应的所述的驱动集成电路焊垫及所述的发光二极管焊垫之间;
烘烤所述的液态导电材料,以使得所述的液态导电材料分别硬化成为所述的导电元件;以及
移除一部分成形于该至少一发光二极管阵列上的图案化绝缘层,以形成一构装完成的发光二极管阵列模块。
14.如权利要求12所述的发光二极管阵列模块的构装方法,其特征在于:该固化所述的液态导电材料以形成所述的导电元件的步骤包括:
通过沾粘的方式,将所述的液态导电材料分别形成于相对应的所述的驱动集成电路焊垫及所述的发光二极管焊垫之间;
烘烤所述的液态导电材料,以使得所述的液态导电材料分别硬化成为所述的导电元件;以及
移除一部分成形于该至少一发光二极管阵列上的图案化绝缘层,以形成一构装完成的发光二极管阵列模块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造