[发明专利]改善通道间绝缘的集成滤波器结构及制造方法

权利要求书

1.一种滤波器结构，其特征在于：

第一滤波器器件，其至少部分地形成在具有第一主表面的第一导电型半导体基片内，其中，所述第一滤波器器件提供所述滤波器结构的第一通道；

第二滤波器器件，其至少部分地形成在所述半导体基片内，以及与所述第一滤波器器件分隔；其中，所述第二滤波器器件提供所述滤波器结构的第二通道；以及

第一接地平面结构，其形成为覆盖在所述半导体结构之上，其中，所述第一接地平面结构在所述半导体基片上垂直地延伸，以及所述第一接地平面结构构造成在所述滤波器结构运行时，降低所述第一和第二通道之间的交叉通道耦合。

2.根据权利要求1所述的滤波器结构，其中，所述第一接地平面结构形成在所述第一和第二滤波器器件之间，以及其中，所述滤波器结构还包括围绕所述第一和第二滤波器器件的第二接地平面结构，以及其中，所述第二接地平面结构在所述半导体基片上垂直地延伸以形成接地环。

3.根据权利要求2所述的滤波器结构，其中，所述第一和第二接地平面结构电连接在一起。

4.根据权利要求1所述的滤波器结构，其中，所述第一接地平面结构电连接至所述半导体基片。

5.根据权利要求4所述的滤波器结构，其中，所述第一接地平面结构沿其整个长度电连接至所述半导体基片。

6.一种滤波器结构，其特征在于：

第一导电型的半导体基片，其具有第一主表面；

第一滤波器器件，其形成为所述半导体基片的一部分，所述第一滤波器器件构造成提供所述滤波器结构的第一通道，以及具有第一输入和第一输出；

第二滤波器器件，其形成为所述半导体基片的一部分，所述第二滤波器器件构造成提供所述滤波器结构的第二通道，以及具有第二输入和第二输出；以及

第一接地平面结构，其从所述第一主表面和在所述第一主表面之上以大体垂直的方向延伸，以及构造成在所述滤波器结构运行时，降低所述第一和第二通道之间的交叉通道耦合，其中，所述第一接地平面结构将所述第一和第二滤波器器件横向分离。

7.根据权利要求6所述的结构，其中，所述第一接地平面结构包括至少两个导电层。

8.一种形成滤波器结构的方法，其特征在于包括以下步骤：

提供第一导电型的半导体基片，具有第一主表面；

至少部分地在所述半导体基片内形成第一滤波器器件，构造所述第一滤波器器件以提供所述滤波器结构的第一通道，以及所述第一滤波器器件具有第一输入和第一输出；

至少部分地在所述半导体基片内形成第二滤波器器件，构造所述第二滤波器器件以提供所述滤波器结构的第二通道，以及所述第二滤波器器件具有第二输入和第二输出；以及

形成第一接地平面结构，所述第一接地平面结构从所述第一主表面和在所述第一主表面之上以大体垂直的方向延伸，并且横向分离所述第一和第二滤波器器件，以及构造所述第一接地平面结构以在所述滤波器结构运行时，降低所述第一和第二通道之间的交叉通道耦合。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述第一接地平面结构的步骤包括：将所述第一接地平面结构形成为包括至少两个导电层。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述第一接地平面结构的步骤包括：将所述第一接地平面结构形成为电连接至所述半导体基片。