[发明专利]改善通道间绝缘的集成滤波器结构及制造方法

说明书

技术领域

[0001]本发明大体涉及电子器件，更具体地，涉及半导体器件结构及其制造方法。

背景技术

[0002]今天，电子滤波器被用于抑制噪声、淘汰无用信号或者以某些方式处理输入信号的特征。基于典型半导体的滤波器设计包括电感器、电阻器和/或电容器网络。这样的网络经常与诸如齐纳二极管等单独的瞬态电压抑制(TVS)器件放置在一起，以除了信号处理外还提供ESD保护。TVS器件的电容作用通常用于进一步构造滤波器特征。

[0003]基于半导体的滤波器设计者所面对的一个挑战是在尽可能小的空间上提供有效的设计，以满足一些应用所需要的尺寸要求。通常这个挑战是困难的，尤其在滤波器设计包括多个通道和电感器结构时。更具体地，电感器结构的存在增加了通道间耦合的可能性，这是不期望出现的效应。

[0004]因此，在各个其它方面中，需要一种降低集成滤波器设计中的通道(inter-channel)间耦合效应的结构及其制造方法。

附图说明

图1示出了用于本发明实施例的滤波器电路的示意图；

图2示出了包括图2的滤波器电路的实现的部分结构的平面图；

图3示出了图2的部分器件的分解图；

图4示出了沿参考线4-4截取的图2的部分器件的截面图；

图5示出根据本发明实施例的滤波器结构实施例的平面图；

图6示出根据本发明实施例的沿参考线6-6截取的图5的部分结构的局部截面图；

图7示出了根据本发明的可选实施例的局部截面图；

图8示出了本发明各个实施例的介入损耗或通道内正向传输(forward transmission)特性的曲线图；

图9示出了本发明各个实施例的模拟串扰特性的曲线图；以及

图10-13示出了用于本发明的器件结构的各种实施例的局部截面图。

[0005]为了简单明了的示意，图中的元件不一定按照比例绘制，并且在不同的图中相同的参考标号代表相同的元件。此外，为了说明的简要，省略了众所周知的步骤和元件的说明和细节。正如在本文中所使用的，载流电极(current carrying electrode)是指器件的组成部分，它承载通过该器件的电流，例如，MOS晶体管的源极或漏极、或双极晶体管的发射极或集电极、或二极管的正极或负极，控制电极是指器件的组成部分，它控制通过该器件的电流，例如，MOS晶体管的栅极或者双极晶体管的基极。虽然本文中把器件解释为确定的N沟道或P沟道器件，本领域的普通技术人员应该理解，根据本发明互补器件也是可能的。出于简化附图的目的，器件结构的掺杂区域示为一般具有直线边缘和角度精确的拐角。但是，本领域的技术人员应该理解，因为掺杂物的扩散和激活，掺杂区域的边缘一般不是直线，并且拐角不是精确的角度。

[0006]此外，尽管采用椭圆滤波器(elliptic filter)实施例对本发明进行描述，但是，应该理解，其仅仅出于示意性的目的，本发明适于其他的滤波器或谐振结构，包括但不限于：pi-RC滤波器、pi-LC滤波器、Chebyschev(切比雪夫)滤波器或Butterworth(巴特沃斯)滤波器。此外，本发明适于那些包括有源元件的滤波器。

具体实施方式

[0007]图1示意性地示出了用于本发明的滤波器电路或结构15的实施例。结构15包括输入101和输出103，并且还包括电感器11，与浮动电容器(floating capacitor)17并联连接以形成第一谐振电路。电感器11包括输入端26和输出端27。结构15还包括与浮动电容器18和19并联的电感器12。电感器12包括输入端29和输出端28，输入端29与输出端27共同连接。第一TVS器件337连接在输入端26和公共返回端109之间。第二TVS器件338连接在输入端29和公共返回端109之间，以及第三TVS器件339连接在输出端28和公共返回端109之间。

[0008]浮动电容器17包括诸如第一MOS电容器，并与TVS器件337结合或集成为单一器件或器件46。浮动电容器18包括诸如第二MOS电容器，并与TVS器件338结合或集成为单一器件或器件43。浮动电容器19包括诸如第三MOS电容器，并与TVS器件339结合或集成为单一器件或器件44。根据滤波器或结构15的输出要求或规格，调整这些器件的电容。