[发明专利]半导体集成电路装置的制造方法无效
| 申请号： | 200710127434.8 | 申请日： | 2007-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101110387A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 野村洋治 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国大阪府守*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，在含有受光部的半导体基板中，该方法具备：
在所述半导体基板上形成第一绝缘膜的工序；
在所述第一绝缘膜上，通过金属镶嵌法，在所述受光部周围形成布线结构的工序；
在所述布线结构上形成第二绝缘膜的工序；和
通过蚀刻对形成在所述受光部上的所述第二绝缘膜上进行开口的工序。
2.一种半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，在含有受光部的半导体基板中，该方法具备：
在所述半导体基板上形成第一绝缘膜的工序；
在所述第一绝缘膜上，在所述受光部周围形成布线结构的工序；
在所述布线结构上形成第二绝缘膜的工序；
使所述第二绝缘膜表面平坦化的工序；
在所述第二绝缘膜上形成第三绝缘膜的工序；和
通过蚀刻对形成在所述受光部上的所述第三绝缘膜进行开口的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社，未经三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710127434.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：立体拼图及其可折叠拼片
- 下一篇：镀覆压电复合物的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
