[发明专利]半导体集成电路装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及在含有受光部的半导体基板上形成集成电路的半导体集成电路装置，特别是涉及对层叠在基板上的层间绝缘膜进行蚀刻而形成开口部的半导体集成电路装置的制造方法。

背景技术

近几年，作为信息记录介质，CD(Compact Disk)和DVD(DigitalVersatile Disk)等光盘占有很大位置。这些光盘的再生装置，基于通过光检测器检测沿着光盘磁道照射的激光的反射光的强度变化，再生记录数据。

图3是以往的光检测器10的概略平面图。

图4是表示通过图3所示的直线A-A′而与半导体基板垂直的截面上的受光部11和布线结构12的概略剖面图。

检测反射光的光检测器10，在半导体基板14的表面上具有受光部11。受光部11，包含被分割为2×2的4个区域的PIN光电二极管(PD)扩散层34。PD扩散层34，例如作为扩散了高浓度的n型杂质的阴极区域而形成。另外，各PD扩散层34被分离扩散层33分离。分离扩散层33，在半导体基板14的表面上，例如作为扩散了高浓度的p型杂质的阳极区域而形成。通过向受光部11入射激光的反射光而产生微弱的光电变换信号，由形成在周围区域的增幅器放大该信号，并输出到后级的信号处理电路。

在这里，在光检测器10中，在半导体基板14上依次层叠第一层间绝缘膜16、第一金属层17、第二层间绝缘膜18、第二金属层19、第三层间绝缘膜20。第一金属层17及第二金属层19分别由铝(A1)等形成，采用光刻技术进行图案化。通过图案化，在第一金属层17上形成布线结构12及与布线结构12连接的信号线13A和电压施加线13B。由此，分离扩散层33经由布线结构12被电压施加线13B进行电位固定。另一方面，各PD扩散层34上产生的光电变换信号也经由布线结构12而由信号线13A取出。

在上述过程中，为了确保光电变换信号的频率特性和抑制噪音的重叠，就需要使各PD扩散层34和信号线13A、以及分离扩散层33和电压施加线13B全部以成为低电阻的方式进行电连接。因此，布线结构12，需要尽可能多地与各扩散层接触。因此，如图3所示，布线结构12以把受光部11包围的方式配置。

层叠了金属层和层间绝缘膜后，为了提高光项受光部11的入射效率，对层叠在受光部11上的层间绝缘膜等进行蚀刻，形成开口部15。另外，开口部15，被开口为比布线结构12形成的形状小一圈的相似形状。

【专利文献1】特开2001-60713号公报

图5是表示受光部11和布线结构12的立体图。如图5所示，布线结构12，在半导体基板上，配置在受光部11的周围。

在受光部11的周围，形成布线结构12之后形成绝缘膜。绝缘膜，采用称为SOG(Spin on Glass)、BPSG(Boro-Phospho silicate Glass)，TEOS(Tenraethyl Orthosilicate)的材料形成。

形成了绝缘膜之后，通过各向异性蚀刻将层叠在受光部11上的绝缘膜等去除，形成开口部15。在这里，由于布线结构12有一定的厚度，故层叠在布线结构12上的绝缘膜表面不平坦，变成凹凸的形状。再加上，在表面形成为凹凸形状的绝缘膜上依次层叠绝缘膜等的情况下，形成在最上面的膜的表面形状也不平坦，成为凹凸形状。因此，在对层叠在受光部11上的绝缘膜等进行蚀刻而形成开口部15时，开口部15的底面，是在蚀刻前形成于最上面的膜的表面形状直接转印成的形状。即，开口部15的底面形成得也不平坦。

这样，在开口部15的底面形成为不平坦的情况下，在受光部11面内的入射效率就不均匀。另外，通过让开口部15底面的不平坦部分反射光，从而也有可能对光检测器的光电变换带来不良影响。

发明内容

本发明的半导体集成电路装置的制造方法，在含有受光部的半导体基板中，该方法具备：在上述半导体基板上形成第一绝缘膜的工序；在上述第一绝缘膜上，通过金属镶嵌法，在上述受光部周围形成布线结构的工序；在上述布线结构上形成第二绝缘膜的工序；通过蚀刻对形成在上述受光部上的上述第二绝缘膜上进行开口的工序。

本发明的半导体集成电路装置的制造方法，在含有受光部的半导体基板中，该方法具备：在上述半导体基板上形成第一绝缘膜的工序；在上述第一绝缘膜上，在上述受光部周围形成布线结构的工序；在上述布线结构上形成第二绝缘膜的工序；使上述第二绝缘膜表面平坦化的工序；在上述第二绝缘膜上形成第三绝缘膜的工序；通过蚀刻对形成在上述受光部上的上述第三绝缘膜上进行开口的工序。