[发明专利]荫罩和使用该荫罩制造有机发光器件的方法

说明书

本申请要求2006年6月30日提交的韩国专利申请第2006-60610号的权益，在此引用其全文以供参考。

技术领域

本发明涉及一种有机发光二极管，更具体地，涉及一种不下垂(sagging)的荫罩，以及使用该荫罩制造有机发光二极管(OLED)显示器件的方法。

背景技术

多种平板显示器件之一，有机发光二极管(OLED)显示器件，自身发光。与液晶显示(LCD)器件相比，OLED显示器件具有宽视角和高对比度等优越性。OLED显示器件不必具备背光单元，从而OLED显示器件实现了薄外形、轻重量以及低耗电。

此外，OLED显示器件为通过低压驱动，并且OLED显示器件具有较快的响应速度。而且，OLED显示器件是用固体物质制造，由此OLED显示器件能够承受外部的冲击并且能够在较宽的温度范围内应用。尤其是，OLED显示器件可以仅用沉积和封装装置制造，从而简化了制造OLED显示器件的方法。

如果以有源矩阵型驱动OLED显示器件，在该有源矩阵型中每个像素包括作为开关元件的薄膜晶体管，则即使在施加低电流的情形下也能够实现相同的亮度，由此获得低耗电、精细、大尺寸的器件。

OLED显示器件通过用包括电子和空穴的载流子激发荧光材料而呈现图像。

同时，OLED通常以不具有附加薄膜晶体管的无源矩阵型驱动。然而，无源矩阵型在器件的低耗和寿命方面有局限。从而，现在已经研究并学习针对适用于需要高分辨率和大尺寸的下一代显示的有源矩阵型OLED显示器件。

基于有机发光层是否设置于下基板或上基板上，OLED显示器件被分为下发光模式和上发光模式。例如，如果在上发光模式中实现有源矩阵型，则薄膜晶体管阵列设置在下基板上，并且发光层设置在上基板上，这是指双板型OLED(DOD)显示器件。

以下，将参照附图描述相关技术的OLED显示器件。

图1为示出相关技术的OLED显示器件的截面图。参照图1，相关技术的OLED显示器件是由第一基板10、第二基板20、包括在第一基板10的每个子像素中的薄膜晶体管(TFT)的薄膜晶体管阵列、形成在第二基板20上的有机发光二极管(E)、以及形成在第一基板10和第二基板20周围的密封图案30。为了向有机发光二极管(E)施加电流，需要透明电极16和用于针对每个子像素连接薄膜晶体管(TFT)和第二电极25的连接器17。

此时，有机发光二极管(E)是由用作公共电极的第一电极21、设置在第一电极21上方每个子像素边界中的第二电极隔离体26、有机发光层22、23、24、以及第二电极25构成。为了形成有机发光二极管(E)，顺序沉积第一电极21、第二电极隔离体26、有机发光层22、23和24以及第二电极25，然后有机发光层22、23和24以及第二电极25被设置在每个子像素边界上的第二电极隔离体分隔开。

此时，有机发光层是由顺序沉积的第一载流子传输层22、发光层23、以及第二载流子传输层24构成。第一载流子传输层22和第二载流子传输层24向发光层23注入并传输电子或者空穴。

第一载流子传输层22和第二载流子传输层24是基于阳极和阴极的位置而确定的。例如，假定发光层23选自高分子物质，第一电极21用作阳极，并且第二电极25用作阴极。在这种情形下，设置为与第一电极21相邻的第一载流子传输层22是由顺序沉积的空穴注入层和空穴传输层构成；而设置为与第二电极25相邻的第二载流子传输层24是由顺序沉积的电子注入层和电子传输层构成。

而且，第一载流子传输层22和第二载流子传输层24以及发光层23可以是由高分子物质或者低分子物质形成。如果使用低分子物质，则用真空沉积法形成。同时，如果使用高分子物质，则用喷墨法形成。

不像用于LCD器件的一般隔离体，导电衬垫料17用作两个基板之间的电连接器并且保持盒间隙。导电衬垫料17在两个基板之间具有预定的高度。

薄膜晶体管(TFT)对应于与有机发光二极管(E)连接的驱动薄膜晶体管。薄膜晶体管(TFT)包括形成在第一基板10的预定部分上的栅极11、形成覆盖栅极11的岛形的半导体层13、以及形成在半导体层13两侧的源极14a和漏极14b。此外，栅绝缘层12形成在第一基板10的整个表面上，其中栅绝缘层12设置在栅极11和半导体层13之间。然后，钝化层形成在包括源极14a和漏极14b的栅绝缘层12上。此时，漏极14b通过形成在钝化层15中的接触孔与形成在钝化层15中的透明电极16电连接。透明电极16的上侧与导电衬垫料17相接触。