[发明专利]半导体封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装体，其特征在于，所述半导体封装体包含：

一基板；

多个堆叠的半导体晶片连接于该基板，该半导体晶片具有一上晶片与一下晶片，分别具有相反的上表面与下表面，该下晶片的横向周围小于该上晶片的横向周围，而使该上晶片的横向周围悬于该下晶片的横向周围外，而形成一凹部；以及

一支持粘着层于该下晶片的横向周围旁，并填入该凹部，该支持粘着层含有第一填充物与第二填充物，该第一填充物与第二填充物中的至少一种是择自下列所组成的族群：  空白晶片、有源晶片、电阻器、电容器、二极管与电感器。

2.根据权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于：该第一填充物与第二填充物中的至少一种的横向轮廓超出、小于或等于该上晶片悬于该下晶片之外的范围。

3.一种半导体封装体的制造方法，其特征在于，所述半导体封装体的制造方法包含：

提供一基板；

将多个堆叠的半导体晶片连接于该基板，该半导体晶片具有一上晶片与一下晶片，分别具有相反的上表面与下表面、及横向周围，该下晶片的横向周围小于该上晶片的横向周围，一粘着层连接该下晶片的上表面与该上晶片的下表面，而使该上晶片的横向周围悬于该下晶片的横向周围外，而形成一凹部；以及

以一支持粘着层支持于该下晶片的横向周围，该支持粘着层含有第一填充物与第二填充物，该支持粘着层是置于该下晶片的横向周围旁的该基板上，而填满该凹部，该第一填充物与第二填充物是择自下列所组成的族群：空白晶片、有源晶片、电阻器、电容器、二极管与电感器。

4.根据权利要求3所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于：该第一填充物与第二填充物的横向轮廓超出、小于或等于该上晶片悬于该下晶片之外的范围。