[发明专利]具有电感器的半导体装置无效
申请号: | 200710127806.7 | 申请日: | 2007-07-03 |
公开(公告)号: | CN101101912A | 公开(公告)日: | 2008-01-09 |
发明(设计)人: | 中柴康隆 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/485;H01L23/522 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 关兆辉;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电感器 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括半导体芯片,其具有:
半导体衬底;
互连层,其包括位于所述半导体衬底上的电感器;以及
各第一导电焊盘,位于所述互连层上;
其中电路成形区域位于所述第一焊盘的正下方,并且第一焊盘都位于在平面图中不与所述电感器重叠的区域中。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其中
所述第一焊盘位于第一、第二、第三和第四区域的至少其中一个区域内的多条线中,
其中在平面图中,比所述电感器更接近于所述半导体芯片的第一、第二、第三和第四侧面的区域被分别定义为所述第一、第二、第三和第四区域。
3.如权利要求1所述的半导体装置,其中
所述第一焊盘位于第五和第六区域的至少其中一个中,并且位于第七和第八区域的至少其中一个中,
其中在所述半导体芯片的第一、第二、第三和第四侧面中的一对面对的侧面被定义为第一侧表面和第二侧表面,而另一对面对的表面被定义为第三侧面和第四侧面,并且
通过将所述电感器的区域沿垂直于所述第一侧面的方向延伸到所述第一和第二侧面而获得的区域被分别定义为第五区域和第六区域,并且通过将所述电感器的区域沿垂直于所述第三侧面的方向延伸到所述第三和第四侧面而获得的区域被分别定义为第七区域和第八区域。
4.如权利要求1所述的半导体装置,其中
除了与所述电感器重叠的区域之外,所述第一焊盘在平面图中规则地排列。
5.如权利要求4所述的半导体装置,其中
在平面图中,所述第一焊盘都以正方形图案排列在除了与所述电感器重叠的区域之外的区域中。
6.如权利要求1所述的半导体装置,还包括:
位于所述第一焊盘上的各凸块,其中
所述各凸块位于平面图中与所述电感器不重叠的区域中。
7.如权利要求6所述的半导体装置,还包括
安装衬底,其具有导电的各第二焊盘,
其中通过将所述各凸块连接到所述各第二焊盘从而安装所述半导体芯片,
其中所述第二焊盘都位于平面图中与所述半导体芯片的所述电感器不重叠的区域中。
8.如权利要求7所述的半导体装置,其中
所述安装衬底具有第一互连,其位于与所述各第二焊盘相同的层中,并且
所述第一互连位于平面图中与所述半导体芯片的所述电感器不重叠的区域中。
9.如权利要求8所述的半导体装置,其中
所述安装衬底具有第二互连,该第二互连位于所述第一互连下面的一层上,并且
所述第二互连位于平面图中与所述半导体芯片的所述电感器不重叠的区域中。
10.如权利要求9所述的半导体装置,其中
所述安装衬底具有第三互连,该第三互连位于在所述第二互连下面的一层上,并且
所述第三互连位于平面图中与所述半导体芯片的所述电感器不重叠的区域中。
11.如权利要求7所述的半导体装置,其中
所述安装衬底的所有互连都位于平面图中与所述半导体芯片的所述电感器不重叠的区域中。
12.如权利要1所述的半导体装置,其中
所述电感器由所述互连层中的线圈形状的互连形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的