[发明专利]布线电路基板

说明书

技术领域

本发明涉及布线电路基板，具体涉及安装电子零部件的带电路的悬挂基板等布线电路基板。

背景技术

带电路的悬挂基板等布线电路基板例如具备由不锈钢箔等形成的金属支承基板、形成于金属支承基板上的、由聚酰亚胺树脂等构成的基底绝缘层，形成于基底绝缘层上的、由铜箔等构成的导体布图，以及形成于基底绝缘层上的、由聚酰亚胺树脂构成的被覆导体布图的被覆绝缘层。该布线电路基板被广泛地应用于各种电器或电子设备领域。

为了防止在该布线电路基板上所安装的电子零部件的静电破坏，提出了在带电路的悬挂基板的被覆绝缘层和基底绝缘层的表面依次层叠金属薄膜和氧化金属层以形成半导电体层，利用该半导电体层除去所带静电的技术方案(例如，参照日本专利特开2004-335700号公报)。

此外，提出了在绝缘层的表面形成半导电体层后，形成贯通绝缘层和半导电体层的贯通孔使导体层露出，在该贯通孔形成连接端子，使半导电体层和连接端子接触，藉此除去绝缘层和导体层所带静电的技术方案(例如，参照日本专利特开2003-152383号公报)。

发明内容

但是，日本专利特开2004-335700号公报中，半导电体层仅形成于被覆绝缘层和基底绝缘层的表面，因此导体层所带静电的除去不够充分，无法切实防止所安装的电子零部件的静电破坏。

此外，日本专利特开2003-152383号公报中，半导电体层不是导体层，与连接端子接触，连接端子未形成时，无法除去导体层所带静电。

因此，如图12的斜线部分和图13所示，带电路的悬挂基板31中，半导电性层35在俯视下与被覆绝缘层36处于同一位置，在被覆绝缘层36和导体布图34、基底绝缘层33及金属支承基板32的各表面之间连续形成，尝试利用该半导电性层35除去导体布图34所带静电。

但是，在形成有上述半导电性层35的带电路的悬挂基板31的1对配线37间(1对配线37a及37b间或1对配线37c及37d间)，形成导体布图34的导体材料沿着半导电性层35迁移(离子迁移)，结果造成1对配线37短路。

此外，导体布图34通常在带电路的悬挂基板31的前端部及后端部之间的中间区域R1内以1对配线37a及b之间的间隔狭窄的状态形成，在前端部和后端部的两端区域R2内以1对配线37a和b之间的间隔较宽的状态形成。因此，如果被覆绝缘层36以包含第1区域R1及第2区域R2的状态形成，半导电性层35形成于与该被覆绝缘层36相同的位置，则形成于第1区域R1的半导电性层35与第2区域R2的半导电性层35相比，1对配线37a和b之间的间隔狭小，导体布图34出现早期短路。

本发明的目的是提供能够有效地除去静电带电，且可防止导体布图的早期短路的布线电路基板。

本发明的布线电路基板的特征在于，具备金属支承基板，形成于前述金属支承基板上的绝缘层，形成于前述绝缘层上的、具有隔着间隔配置的1对配线的导体布图，以及形成于前述绝缘层上的、与前述金属支承基板及前述导体布图电连接的半导电性层；前述导体布图具有1对前述配线间的间隔狭小的第1区域和1对前述配线间的间隔比前述第1区域宽的第2区域；前述半导电性层被设置于前述第2区域。

较好的是本发明的布线电路基板中，前述第2区域中的1对前述配线间的间隔在20μm以上。

较好的是本发明的布线电路基板中，至少1对前述配线被相对配置，且电位各异，在1对前述配线的对向区域的外侧一方，前述半导电性层与前述金属支承基板电连接，被覆绝缘层被形成于前述半导电性层上。

较好的是本发明的布线电路基板中，在1对前述配线的对向区域的外侧一方，前述半导电性层与前述金属支承基板接触。

较好的是本发明的布线电路基板中，在1对前述配线的对向区域的外侧一方，贯通厚度方向的开口部形成于前述绝缘层，在从前述开口部露出的前述金属支承基板上设置有与前述金属支承基板和前述半导电性层接触的接地连接部。

本发明的布线电路基板具备与金属支承基板和导体布图电连接的半导电性层。因此，导体布图介以半导电性层与金属支承基板电连接，能够有效除去导体布图所带静电。而且，本发明的布线电路基板中，半导电性层在导体布图中被设置于1对配线间的间隔较宽的第2区域。所以，在1对配线间形成导体布图的导体材料即使沿着半导电性层迁移，但由于它们的间隔比第1区域的该间隔宽，因此导体布图的短路被延迟，可防止导体布图的早期短路。

其结果是，可切实地防止所安装的电子零部件的静电破坏，而且可长期实现布线电路基板的连接可靠性的提高。