[发明专利]浅沟隔离结构的制备方法

权利要求书

1.一种浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于包含下列步骤：

在半导体衬底上形成遮罩，所述遮罩具有至少一开口；

在所述开口下方的半导体衬底中形成沟道，所述沟道环绕主动区域；

在所述沟道的内壁处形成衬层；

在所述沟道中形成第一介电区块，所述第一介电区块的表面低于所述半导体衬底的表面；和

在所述第一介电区块上形成第二介电区块。

2.根据权利要求1所述的浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于在所述沟道的内壁处形成衬层是通过热氧化工艺进行的。

3.根据权利要求1所述的浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于所述衬层是氧化硅层或氮化硅层。

4.根据权利要求1所述的浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于在所述沟道中形成第一介电区块包含下列步骤：

形成填满所述沟道并覆盖所述半导体衬底表面的旋涂介电层；

局部去除所述半导体衬底表面的旋涂介电层；

进行热处理工艺以减少所述旋涂介电层的溶剂；和

进行蚀刻工艺以局部去除所述遮罩和所述沟道上部的旋涂介电层而形成所述第一介电区块。

5.根据权利要求4所述的浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于局部去除所述半导体衬底表面的旋涂介电层是通过化学机械研磨工艺进行的。

6.根据权利要求5所述的浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于所述化学机械研磨工艺以所述遮罩表面为研磨终点。

7.根据权利要求1所述的浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于在所述第一介电区块上形成第二介电区块包含下列步骤：

形成填满所述沟道并覆盖所述半导体衬底表面的沉积介电层；和

局部去除所述半导体衬底表面的沉积介电层而形成所述第二介电区块。

8.根据权利要求7所述的浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于形成沉积介电层是通过高密度等离子化学气相沉积工艺进行的。

9.根据权利要求7所述的浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于局部去除所述半导体衬底表面的沉积介电层是通过化学机械研磨工艺进行的。

10.根据权利要求9所述的浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于所述化学机械研磨工艺以所述遮罩表面为研磨终点。

11.一种浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于包含下列步骤：

在半导体衬底上形成遮罩，所述遮罩具有至少一开口；

在所述开口下方的半导体衬底中形成沟道，所述沟道环绕主动区域；

在所述沟道的内壁处形成衬层；

进行旋涂工艺以形成填满所述沟道并覆盖所述半导体衬底表面的旋涂介电层；

局部去除所述半导体衬底表面和所述沟道上部的旋涂介电层再进行致密工艺，使得所述旋涂介电层的表面低于所述半导体衬底的表面；

形成填满所述沟道并覆盖所述半导体衬底表面的沉积介电层；和

局部去除所述半导体衬底表面的沉积介电层。

12.根据权利要求11所述的浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于中在所述沟道的内壁处形成衬层是通过热氧化工艺进行的。

13.根据权利要求11所述的浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于所述衬层是氧化硅层或氮化硅层。

14.根据权利要求11所述的浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于局部去除所述沟道上部的旋涂介电层包含下列步骤：

进行化学机械研磨工艺以局部去除所述半导体衬底表面的旋涂介电层；

进行所述致密工艺以减少所述旋涂介电层的溶剂；和

进行蚀刻工艺以局部去除所述遮罩和所述沟道上部的旋涂介电层。

15.根据权利要求14所述的浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于所述化学机械研磨工艺以所述遮罩表面为研磨终点。

16.根据权利要求11所述的浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于形成沉积介电层是通过高密度等离子化学气相沉积工艺进行的。

17.根据权利要求11所述的浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于局部去除所述半导体衬底表面的沉积介电层是通过化学机械研磨工艺进行的。

18.根据权利要求17所述的浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于所述化学机械研磨工艺以所述遮罩表面为研磨终点。