[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体基板；

第一介电层，设置于该半导体基板上，具有沿第一方向的第一导线，其中该第一导线的顶表面比该第一介电层的顶表面低；

第二介电层，位于该第一介电层上，包括对应于第一二极管构件的开口；以及

半导体二极管元件，包括：

该第一二极管构件，设置于该第一导线上，其中该第一二极管构件的顶表面与该第一介电层的顶表面齐高；以及

第二二极管构件与第三二极管构件，填入该开口中。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一导线具有缓冲层，该缓冲层包括氮化钛、钽、氮化钽、氮化铝、氮化钛铝或上述材料的组合。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一导电层包括钨、铝、铜、金属硅化物、未掺杂硅或掺杂硅层。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一导线与该第一介电层间具有小于约1000埃的高度段差。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该半导体二极管元件包括PIN二极管。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一二极管构件包括第一掺杂类型的半导体。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第二二极管构件包括本征半导体或未掺杂半导体。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第三二极管构件包括第二掺杂类型的半导体。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第三二极管构件通过将第二型掺杂物注入于本征半导体中形成的。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一二极管构件为沿第一方向的线状，且该第二二极管构件与该第三二极管构件为柱状。

11.一种半导体装置，包括：

半导体基板；

第一介电层，设置于该半导体基板上，具有沿第一方向的第一导线，其中该第一导线的顶表面比该第一介电层的顶表面低；

第二介电层，包括位于该第一介电层上的第一开口与第二开口；

第一半导体二极管元件，包括：

第一二极管构件，设置于该第一导线上，其中该第一二极管构件的顶表面与该第一介电层的顶表面齐高；以及

第二二极管构件，与第三二极管构件填入第一该开口中；

第二半导体二极管元件，包括：

第四二极管构件，设置于该第一导线上，其中该第四二极管构件的顶表面与该第一介电层的顶表面齐高；以及

第五二极管构件，与第六二极管构件填入第一该开口中。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其中该第一二极管构件与该第四二极管构件为相反型态的掺杂硅，并且其中该第三二极管构件与该第六二极管构件为相反型态的掺杂硅。