[发明专利]改善产品合格率的方法、程序及其系统有效
申请号: | 200710128761.5 | 申请日: | 2007-07-12 |
公开(公告)号: | CN101387870A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 张永政;傅学士;王英郎;王锦焜 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G05B19/04 | 分类号: | G05B19/04;G05B19/418 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改善 产品 合格率 方法 程序 及其 系统 | ||
1.一种改善晶片合格率的方法,其特征是,该方法的步骤包括:
根据制造工具的集合效能,从制造工具的一集合中,选择绝佳工具的一 集合,其中,选择绝佳工具的一集合的步骤,包括:
为制造工具的每一集合选择多个处方;
由所述多个处方排除具有延伸数据的一处方,以组成所述多个处方 的一子集合,其中该延伸数据为包含大量数据点的一数据集合;
衡量所述多个处方子集合的微粒,用以计算一微粒计数;
衡量所述多个处方子集合的厚度能力指数,其中该厚度能力指数指 示该处方符合一既定可靠厚度规格的能力;以及
产生工具效能的等级;
提供一全自动化操作环境,以使用该绝佳工具的集合生产一晶片;
其中排除一处方的步骤,包括:
检查所述多个处方的一处方,以确定该处方的数据点数目是否超过一临 界值;以及
当该处方的数据点数目超过该临界值时,便由所述多个处方排除该处 方。
2.如权利要求1所述的改善晶片合格率的方法,其特征是,衡量所述处 方子集合微粒的步骤包括:
利用每一处方的7天平均值,用以计算出一数值;
确定该数值是否小于一临界值;以及
于所述处方中,选择比较其它处方而言具有较小数值的一处方,以当作 一绝佳处方,其数值不小于该临界值。
3.如权利要求1所述的改善晶片合格率的方法,其特征是,衡量处方子 集合的厚度能力指数的步骤,包括:
计算每一处方7天的一厚度能力指数;以及
于所述处方中,相较其它处方,选择具有较大厚度能力指数的一处方, 以当作一绝佳处方。
4.如权利要求1所述的改善晶片合格率的方法,其特征是,该全自动化 操作环境包括自动发送、自动运输、及自动设备操作;自动发送是分配该绝 佳工具集合,用以生产该晶片,而自动运输是通过该绝佳工具的集合,以安 排该晶片的运输。
5.如权利要求1所述的改善晶片合格率的方法,其特征是,该全自动化 操作环境为机器操作。
6.如权利要求1所述的改善晶片合格率的方法,其特征是,根据该制造 工具的集合效能,从制造工具集合中选择绝佳工具的集合,是由一绝佳室选 择系统执行。
7.如权利要求6所述的改善晶片合格率的方法,其特征是,该绝佳室选 择系统取得在线统计过程控制数据、离线统计过程控制数据、以及周期维护 数据,以作为输入数据。
8.如权利要求1所述的改善晶片合格率的方法,其特征是,提供一全自 动化操作环境,以使用该绝佳工具的集合生产该晶片,是由一实时发送系统 执行。
9.如权利要求8所述的改善晶片合格率的方法,其特征是,该实时发送 系统取得共享信息模块的信息、在制品的信息、以及晶片配置的信息,以作 为输入数据。
10.如权利要求7所述的改善晶片合格率的方法,其特征是,该在线统计 过程控制数据包括控制晶片处理期间搜集的数据、该离线统计过程控制数据 包括控制晶片处理后所产生的数据、以及,该周期维护数据包括于该制造工 具集合执行一周期维护后,该制造工具集合的效能数据。
11.如权利要求9所述的改善晶片合格率的方法,其特征是,该共享信息 模块的信息包括该制造工具集合的处方信息,在制品信息包括该制造工具集 合的发送指令。
12.一种改善晶片合格率的系统,包括:
一选择模块,根据制造工具的一集合效能,由该制造工具的集合中,选 择绝佳工具的一集合,其中,选择绝佳工具的一集合的步骤,包括:
为制造工具的每一集合选择多个处方;
由所述多个处方排除具有延伸数据的一处方,以组成所述多个处方 的一子集合,其中该延伸数据为包含大量数据点的一数据集合;
衡量所述多个处方子集合的微粒,用以计算一微粒计数;
衡量所述多个处方子集合的厚度能力指数,其中该厚度能力指数指 示该处方符合一既定可靠厚度规格的能力;
产生工具效能的等级;以及
一全自动化操作环境,其是使用该绝佳工具的集合以生产一晶片;
其中排除一处方的步骤,包括:
检查所述多个处方的一处方,以确定该处方的数据点数目是否超过一临 界值;以及
当该处方的数据点数目超过该临界值时,便由所述多个处方排除该处 方。
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