[发明专利]多位存储装置和存储系统

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，包括：

存储单元阵列，包括多个存储块，每个存储块具有适用于存储N位的多个存储单元，其中N是大于1的整数；

页缓冲器，构建为执行适用于从存储单元阵列中读取数据并输出所读取的数据的读取操作；

误差校正电路，构建为检测并校正存储块K中存储的读取数据中的误差，并生成相应的误差信息；以及

控制电路，构建为响应于误差信息将存储块K的多个存储单元中存储的位数从N降低到J，其中J是小于N但是大于0的整数。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中存储单元阵列包括适用于存储数据的主数据存储区域和适用于存储关于主存储区域中存储的数据的备用数据的备用数据存储区域。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储装置，其中备用数据存储区域包括分别定义多个存储块的每一个的存储单元中存储的位数的位数数据。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储装置，其中位数数据包括单个位或多位标志。

5.根据权利要求2所述的非易失性存储装置，其中备用数据存储区域包括关于多个存储块的每一个的独立的备用数据。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中控制电路进一步构建为将存储块K定义为坏块。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中控制电路进一步构建为对存储块K中存储的数据执行回写到新的存储块中的回写操作。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中控制电路进一步构建为控制页缓冲器执行读取操作。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中存储单元阵列包括NAND闪存单元阵列。

10.根据权利要求8所述的非易失性存储装置，其中N＝2。

11.一种非易失性存储系统，包括：

存储控制器，构建为控制关于非易失性存储装置的读取操作，该非易失性存储装置包括：

存储单元阵列，包括多个存储块，每个存储块具有适用于存储N位的多个存储单元，其中N是大于1的整数，其中存储单元阵列包括适用于存储数据的主数据存储区域和适用于存储关于主存储区域中存储的数据的备用数据的备用数据存储区域；以及

页缓冲器，构建为执行关于存储单元阵列的读取操作并输出读取数据，

该存储控制器，构建为执行适用于检测并校正存储于存储块K的读取数据中的误差的误差校正性能(ECC)，并响应于误差检测将存储块K的多个存储单元中存储的位数从N降低到J，其中J是小于N但是大于0的整数。

12.根据权利要求11所述的非易失性存储系统，其中备用数据包括指示多个存储块之中的任意一个是否是坏块的单个位或多位标志。

13.根据权利要求11所述的非易失性存储系统，其中存储控制器包括执行ECC的单独的误差检测电路。

14.根据权利要求11所述的非易失性存储系统，其中非易失性存储装置包括控制电路，其构建为在存储控制器的控制下执行ECC。

15.根据权利要求14所述的非易失性存储系统，其中控制电路包括地址解码与控制电路。

16.根据权利要求14所述的非易失性存储系统，其中存储控制器进一步构建为执行适用于检测和校正误差并生成相应误差信息的软件；以及

其中控制电路适用于修改备用数据存储区域中的备用数据以响应于误差信息将存储块K的多个存储单元中存储的位数从N降低到J。

17.一种非易失性存储装置的读取方法，该非易失性存储装置包括多个存储块，每个存储块包括用于存储N位的存储单元，其中N是大于1的整数，该方法包括：

当接收到外部施加的关于存储块K的读取命令时，则确定存储块K中存储的读取数据是单个位数据还是多位数据；

如果所读取的数据是单个位数据并包括误差，则对单个位数据读取并执行误差校正操作，并将存储块K标记为坏块；

另外，如果所读取的数据是多位数据并包括误差，则对多位数据读取并执行误差校正操作，并将存储块K的存储单元中存储的位数从N降低到J，其中J是小于N但是大于0的整数。