[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

存储器阵列；

内部地址提供单元，配置用于响应于外部地址而产生第一内部地址；

第一熔丝单元，配置为包括集成的熔丝和反熔丝；

地址切换电路，配置用于基于所述第一内部地址而产生第二内部地址；以及

解码器电路，配置用于响应于所述第二内部地址而选择所述存储器阵列的存储器单元。

其中，所述内部地址提供单元配置为能够固定所述第一内部地址中的特定地址位，

其中，所述第二内部地址包括：

熔丝无关地址位，根据所述第一内部地址中所述特定地址位之外的地址位而产生，与所述第一熔丝单元的状态无关；以及

熔丝有关地址位，具有与所述第一熔丝单元的所述状态以及所述特定地址位的值相对应的值。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

第二熔丝单元，配置为包括集成的熔丝和反熔丝，

其中，当所述第二熔丝单元设置为第一状态时，所述内部地址提供单元响应于所述外部地址的相应各个地址位，产生所述第一内部地址的所有地址位，以及

当所述第二熔丝单元设置为第二状态时，所述内部地址提供单元响应于所述外部地址的相应各个地址位，产生所述第一内部地址的所述特定地址位之外的地址位，并将所述特定地址位固定为预定值。

3.一种半导体存储器件，包括：

多个存储器单元；

第一熔丝，配置用于确定所述多个存储器单元的有效存储器单元的个数；以及

第二熔丝，配置用于确定所述有效存储器单元被分别指定给所述多个存储器单元中的哪一些存储器单元。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中有效存储器单元的个数等于或小于所述多个存储器单元中不是所述有效存储器单元的存储器单元的个数。

5.一种半导体存储器件，包括：

多个存储器阵列；

内部地址提供单元，配置用于响应于外部地址而产生第一内部地址；

第一熔丝单元，配置为包括集成的熔丝和反熔丝；

地址切换单元，配置用于基于所述第一内部地址而产生第二内部地址；以及

解码器电路，配置用于响应于所述第二内部地址而选择所述多个存储器阵列中的一个和所述多个存储器阵列中的所述一个的存储器单元，

其中，所述内部地址提供单元配置为能够固定所述第一内部地址中的特定地址位，

其中，所述第二内部地址包括：

熔丝无关地址位，根据所述第一内部地址中所述特定地址位之外的地址位而产生，与所述第一熔丝单元的状态无关；

熔丝有关地址位，具有与所述第一熔丝单元的状态以及所述特定地址位的值相对应的值，以及

其中，所述解码器电路响应于所述熔丝有关地址位，选择所述多个存储器阵列的一部分，并响应于所述熔丝无关地址位，选择所述多个存储器阵列的所述一部分中的一个以及所述多个存储器阵列的所述一部分中的所述一个的存储器单元。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，还包括：

第二熔丝单元，配置为包括集成的熔丝和反熔丝，

其中，当所述第二熔丝单元设置为第一状态时，所述内部地址提供单元响应于所述外部地址的相应各个地址位，产生所述第一内部地址的所有地址位，以及

当所述第二熔丝单元设置为第二状态时，所述内部地址提供单元响应于所述外部地址的相应各个地址位，产生所述第一内部地址的所述特定地址位之外的地址位，并将所述特定地址位固定为预定值。

7.根据权利要求2或6所述的半导体存储器件，其中，所述存储器单元是闪存。

8.根据权利要求2或6所述的半导体存储器件，其中，所述熔丝有关地址位是所述特定地址位的值与所述特定地址位的反转值中的一个。

9.一种半导体存储器件的制造方法，其中，所述半导体存储器件配置为包括：

存储器阵列；

内部地址提供单元，配置用于响应于外部地址而产生第一内部地址；

第一熔丝单元，配置为包括集成的熔丝和反熔丝；

第二熔丝单元，配置为包括集成的熔丝和反熔丝，

地址切换电路，配置用于基于所述第一内部地址而产生第二内部地址；以及

解码器电路，配置用于响应于所述第二内部地址而选择所述存储器阵列的存储器单元，

其中，所述内部地址提供单元配置为能够固定所述第一内部地址中的特定地址位，

其中，所述第二内部地址包括：

熔丝无关地址位，根据所述第一内部地址中所述特定地址位之外的地址位而产生，与所述第一熔丝单元的状态无关；以及

熔丝有关地址位，具有与所述第一熔丝单元的状态以及所述特定地址位的值相对应的值。

其中，当所述第二熔丝单元设置为第一状态时，所述内部地址提供单元响应于所述外部地址的相应各个地址位，产生所述第一内部地址的所有地址位，以及

当所述第二熔丝单元设置为第二状态时，所述内部地址提供单元响应于所述外部地址的相应各个地址位，产生除所述第一内部地址的所述特定地址位之外的地址位，并将所述特定地址位固定为预定值，

所述制造方法包括：

(a)在所述第二熔丝单元设置为所述第一状态下检查所述存储器阵列；

(b)在所述步骤(a)之后，通过将所述第二熔丝单元设置为所述第二状态，来固定所述第一内部地址的特定地址位；以及

(c)根据所述存储器阵列的所述检查结果，通过设置所述第一熔丝单元的状态，将所述熔丝有关地址位设置为所希望的值。