[发明专利]球填充装置及方法有效
申请号: | 200710129442.6 | 申请日: | 2007-07-12 |
公开(公告)号: | CN101106098A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
发明(设计)人: | 川上茂明;浅野邦一;小竹利幸;矢泽一郎 | 申请(专利权)人: | 爱立发股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48;H05K3/34;B23K3/06;B23K101/40;B23K101/42;B23K101/36 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 填充 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种适合在将导电性球配置在基板的规定位置上时采用的球填充装置及方法。
背景技术
为了在安装半导体器件时获取电连接,采用了焊锡球等的导电性球。在国际公开号WO2006/004000中,作为在半导体晶圆等的基板上排列导电性球的装置公开有在将掩模设置在基板上的状态下,向掩模的多个开口中填充导电性球的装置。该填充装置具有向掩模侧突出的、具有刮板的头部。该头部通过绕与掩模相垂直的轴进行旋转,将导电性球的集团保持在掩模表面的局部区域中。该填充装置一边使头部旋转,一边使该垂直的轴沿掩模的表面移动,从而将被保持在上述区域内的导电性球依次填充到掩模的多个开口中。
采用国际公开号WO2006/004000所记载的填充装置,在将导电性球的集团保持在掩模表面的限定区域中的状态下,头部在掩模上进行移动。由此,保持在上述区域内的导电性球被依次填充到掩模的多个开口中。因此,采用该填充装置,即使导电性球的数量较少,也可以提高区域内的导电性球的密度,因此也可以高效率地向该区域所通过的部分的掩模的开口中填充导电性球。另外,与在整个掩模上均匀保持导电性球的情况相比较,应保持在掩模表面的限定区域中的导电性球的量非常少。因此,可以减少导电性球因在掩模上进行移动而可能受到损伤的数量,降低了由填充导致的导电性球的损失。
为了在基板上排列导电性球,需要使头部通过掩模的表面上的应搭载导电性球的整个区域。因此,在1个基板上排列导电性球需要一定程度的时间。要寻求一种可以将在1个基板上排列导电性球所需要的时间(以下称作生产节拍时间)缩短的方法。
降低导电性球的填充失误发生率的1个方法是无遗漏地对掩模的表面上的应搭载导电性球的整个区域进行覆盖。在国际公开号WO2006/004000中公开有一种以保持着导电性球的集团的区域的轨迹的一部分重复的方式使头部进行移动的方法。但是,由于以区域轨迹的一部分重复的方式使头部进行移动,而延长了生产节拍时间。
发明内容
本发明的一个方式为:一种装置(球填充装置),在将具有用于将导电性球配置在基板上的多个开口(小开口、贯穿孔)的掩模设置在基板上的状态下,向多个开口中填充导电性球,该装置包括多个头部和头部移动机构(头部移动单元、头部移动装置),该头部用于在掩模表面的多个部分上分别保持多个独立的导电性球的集团;头部移动机构用于使多个头部进行移动,以使得多个导电性球的集团在掩模表面上移动。
缩短生产节拍时间的1个方法是提高头部的移动速度。但是,当提高了头部的移动速度时,存在未填充导电性球的开口的产生率、即填充失误发生率上升的倾向。从降低填充失误发生率这一点出发,不如优选降低头部移动速度的方法。
作为缩短生产节拍时间的另一种方法,考虑了与以往相比扩大头部、即扩大掩模表面的局部保持有导电性球的集团的区域这样的方法。是通过扩大头部所通过的轨迹(通过带)的宽度来缩短生产节拍时间的方法。但是,在扩大了保持有导电性球的集团的区域时,若不使保持在该区域内部的导电性球的量增大,则有可能使填充失误发生率升高。由于区域的面积以通过带宽度的平方扩大,因此要使每单位面积的导电性球的量为恒定时,导电性球的量至少需要以平方的数量增加。
并且,当扩大了区域面积时,导电性球以在上下方向呈多层或呈堆的状态存在的几率较高。因此,在分布在区域内,有助于向与导电性球的大小相称的掩模的小开口(开孔)中填充的导电性球的量有可能会减少。从降低填充失误发生率这一点出发,希望保持着导电性球的区域的面积较小。为了降低包括损伤导电性球等在内的失误率,也希望保持着导电性球的区域的面积较小。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造