[发明专利]晶片激光刻印方法与其系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶片激光刻印方法与其系统，特别涉及一种可在晶片上同时刻印多种信息的激光刻印方法与其系统。

背景技术

在半导体的晶片制程中，当完成对晶片(wafer)的探针测试(chip probe)后，根据晶片上各芯片(die)的测试结果(bin code)，再以激光刻印(laser marking)的方式将测试结果刻印在对应此芯片在晶片位置上的被动面(passivesurface)，如先前技术中的中国台湾专利TW594897、TW589693、TW516149、美国专利US 7020582与US6996484所披露者。然而，目前在晶片上所提供的激光刻印，只可将其所要刻印的同一种内容一次刻印，如果要在同一片晶片上刻印两种以上的内容时，则必须将此晶片退出后再加载到刻印台(marking stage)以进行另一内容的刻印，详细作法请参照图1所示，如此的作业方式显然造成晶片进出刻印台多次，将导致操作人员作业时间的增加、晶片容易破片的风险，以及增加激光刻印的错误机率。因此如何方便而有效的提供一种可在晶片上同时刻印多种信息的激光刻印方法，乃为产业界亟待解决的问题。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提出一种晶片激光刻印方法与其系统，以激光刻印方式在晶片上刻印多种信息，主要包括以下步骤：提供刻印文件，其中包含有多个不相同的刻印信息对应至不相同的芯片；读取该刻印文件；提供数据暂存区，依芯片顺序储存该刻印文件的一部份或全部；载入晶片至刻印机台；执行该晶片定位；将该晶片各芯片所对应的刻印信息循序刻印于该芯片的被动面，直至刻印完毕；以及自刻印机台释出该晶片。

因此，本发明的主要目的提供一种晶片激光刻印的方法与其系统，可缩短操作人员在进行晶片激光刻印的作业时间。

本发明的另一目的是提供一种晶片激光刻印的方法与其系统，以减少晶片在进行激光刻印时需多次进出刻印台的次数，而达到降低晶片容易破片的风险。

本发明的又一目的是提供一种晶片激光刻印的方法与其系统，以减少激光刻印的错误机率。

附图说明

图1为流程图，是晶片激光刻印方法的先前技术。

图2为流程图，是根据本发明所提出的第一较佳实施例，为一种晶片激光刻印的方法。

图3为流程图，是根据本发明所提出的第二较佳实施例，为一种晶片激光刻印的另一方法。

图4为示意图，是根据本发明所提出的第三较佳实施例，为一种晶片激光刻印的系统。

主要元件标记说明

公知晶片激光刻印方法步骤    10、11、12、13、14、15

晶片激光刻印方法步骤        20、21、22、23、24、25、26、27

晶片激光刻印另一方法步骤    30、31、32、33、34、35、36、37

激光刻印系统                40

读取装置                    41

记忆装置                    42

晶片储放装置                43

上载/下载装置               44

晶片定位平台                45

激光刻印装置               46

机器可存取的储存媒体       47

具体实施方式

由于本发明披露一种半导体后段制程的晶片测试的激光刻印方法与其系统，其中所利用的半导体制程基本原理，已为所属技术领域的技术人员所能明了，故以下文中的说明，不再作完整描述。同时，以下文中所对照的附图，表达与本发明特征有关的结构示意，并未亦不需要依据实际尺寸完整绘制，盍先叙明。

首先请同时参考图2及图4，根据本发明所提供的第一较佳实施例，为一种晶片的激光刻印方法。此晶片的激光刻印方法(步骤20)以激光方式在晶片上刻印多种信息，包括以下步骤：

(1)提供刻印文件(图2步骤21)，其中此刻印文件内容指待刻印晶片所要刻印的刻印信息，而每一刻印文件对应待刻印的晶片，通常多个待刻印晶片存放于本发明所披露的激光刻印系统的晶片储放装置43，且多个刻印文件存放于任一机器可存取的储存媒体47。

(2)读取该刻印文件(图2步骤22)，其中刻印文件的读取方式由读取装置41摄取储存于机器可存取的储存媒体47所对应的刻印文件。