[发明专利]形成半导体器件的精细图案的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括：

在包括基层的半导体基板之上形成光阻图案；

在所述光阻图案的侧壁上形成交联层；

除去所述光阻图案，以形成包括所述交联层的精细图案；以及

利用所述精细图案作为蚀刻掩模将所述基层图案化。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述基层选自一个群组，所述群组包括：字线、位线、金属线、及其组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

形成所述交联层的步骤包括：

提供包括含硅聚合物和有机溶剂的聚合物组成物；

将所述聚合物组成物涂覆于所述光阻图案与所述基层之上，以形成含硅聚合物层；

在所述含硅聚合物层上执行曝光工序和烘烤工序，以在所述光阻图案与所述含硅聚合物层之间的界面处形成所述交联层；

除去在所述交联层的形成过程中所未涉及的其余含硅聚合物层；以及

全面蚀刻所述交联层，直到所述光阻图案的顶部露出为止。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

所述有机溶剂包括C₇-C₁₀烷溶剂和C₅-C₁₀醇类。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，

所述烷溶剂选自一个群组，所述群组包括：庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、及其混合物。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，

所述醇类选自一个群组，所述群组包括：戊醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、及其混合物。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，

所述含硅聚合物包括以所述含硅聚合物的总重量为基准含量范围为10至40wt％的硅。

8.根据权利要求3所述的方法，其中，

所述含硅聚合物包括可交联官能团。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，

所述可交联官能团是环氧基。

10.根据权利要求3所述的方法，其中，

所述含硅聚合物为聚硅氧烷化合物、聚硅倍半氧烷化合物、或其混合物。

11.根据权利要求3所述的方法，其中，

所述烘烤工序在能够使所述交联层厚度均匀的温度下进行。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，

所述烘烤工序在范围从130至200℃的温度下进行。

13.根据权利要求3所述的方法，其中，

全面蚀刻所述交联层的步骤利用含氟的蚀刻气体来进行。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，

所述蚀刻气体选自一个群组，所述群组包括：CF₄、CHF₃、C₂F₆、C₃F₈、C₄F₈、及其组合。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，

除去所述光阻图案的步骤利用包含氧与氮的混合蚀刻气体来进行，氧与氮的流量比为O₂∶N₂＝(1-15％)∶(85-99％)。

16.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在除去所述光阻图案之后，将晶片浸泡于正戊醇中。