[发明专利]曝光掩模及使用该曝光掩模制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种曝光掩模，其用于在具有多个有源区的半导体基板上形成凹式栅极，所述曝光掩模包括：

透明基板；以及

凹式栅极图案，其包括布置在所述透明基板上方的多条栅极线，所述凹式栅极图案还包括具有第一线宽的第一部分和具有第二线宽的第二部分，所述第二线宽小于所述第一线宽，

其中，在所述第二部分中，所述凹式栅极图案的相邻元件以距离t间隔开，其中0＜t＜1/5F，F是两条相邻栅极线之间的距离。

2.根据权利要求1所述的曝光掩模，其中，

在所述有源区的纵向上，所述第一线宽是D1，所述第二线宽是D2，D1/10＜D2＜3/4D1。

3.根据权利要求1所述的曝光掩模，其中，

所述第二部分布置在两个相邻的有源区之间。

4.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在半导体基板上方形成光阻膜，所述半导体基板具有限定有源区的器件隔离结构；

使用凹式栅极掩模曝光和显影所述光阻膜，以形成光阻图案；

使用所述光阻图案选择性地蚀刻所述半导体基板，以形成凹陷区；

去除所述光阻图案；以及

在所述半导体基板上方形成凹式栅极，

其中，所述凹式栅极掩模包括凹式栅极图案，所述凹式栅极图案包括具有第一线宽的第一部分和具有第二线宽的第二部分，所述第二线宽小于所述第一线宽，在所述第二部分中，所述凹式栅极图案的相邻元件间隔开。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：

在所述光阻图案和所述半导体基板之间形成硬掩模层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，

所述硬掩模层包括多晶硅层。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，

曝光所述光阻膜的步骤包括使用偶极极化照明器。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，

所述曝光步骤中使用的光源选自一个群组，所述群组包括：KrF(248nm)激光器、ArF(193nm)激光器、F₂(157nm)激光器、以及电子束。

9.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：

提供半导体基板，所述半导体基板具有限定有源区的器件隔离结构；以及

使用曝光掩模选择性地蚀刻所述半导体基板，以形成凹陷区；

其中，所述曝光掩模包括：

透明基板；以及

凹式栅极图案，其包括布置在所述透明基板上方的多条栅

极线，所述凹式栅极图案还包括具有第一线宽的第一部分和具有第二线宽的第二部分，所述第二线宽小于所述第一线宽，

在所述第二部分中，所述凹式栅极图案的相邻元件以距离t间隔开，0＜t＜1/5F，F是两条相邻栅极线之间的距离。

10.一种曝光掩模，其用于在具有多个有源区的半导体基板上形成凹式栅极，所述曝光掩模包括：

隔离的凹式栅极图案，所述隔离的凹式栅极图案沿其短轴线在至少一侧具有至少一个凸出部分。