[发明专利]用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：

在限定连接插塞触点区域的半导体基板之上形成凹式栅极；

在所述凹式栅极的侧壁上形成栅极间隙壁；

软性蚀刻所述连接插塞触点区域中的半导体基板，以形成具有圆形轮廓以及侧壁的凹陷部；

在所述栅极间隙壁上以及所述凹陷部的侧壁上形成侧壁间隙壁；

在包括所述凹式栅极、所述凹式栅极间隙壁以及所述凹陷部的半导体基板之上形成绝缘膜；

选择性地蚀刻所述绝缘膜，以形成连接插塞接触孔；以及

利用导电层填充所述连接插塞接触孔，以形成连接插塞。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述栅极间隙壁具有在约50至100范围内的厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

借助于化学蚀刻方法来执行用于所述凹陷部的软性蚀刻工序。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在约500W至约3,000W范围内的功率下，在约500mTorr至约2,000mTorr范围内的压力下，并且在选自由NF₃、O₂、He、及其组合所构成的群组的气体氛围下执行所述软性蚀刻工序。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述凹陷部具有在约50至约200范围内的深度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述侧壁间隙壁具有在约130至约300范围内的厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述层间绝缘膜包括厚度在约3,000至约8,000范围内的硼磷硅酸盐玻璃膜。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述层间绝缘膜之上执行湿式退火工序。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在约500W至约2,000W范围内的功率下，在约10mTorr至约150mTorr范围内的压力下，在选自由CF₄、CHF₃、O₂、N₂、C₄F₆、Ar、及其组合所构成的群组的气体氛围下执行选择性地蚀刻所述层间绝缘膜的工序。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述连接插塞接触孔之上执行湿式清洗工序。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

利用缓冲氧化蚀刻剂溶液来执行所述湿式清洗工序，所述缓冲氧化蚀刻剂溶液包括选自由H₂SO₄、H₂O₂、及其组合所构成的群组中的至少一者。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述导电层包括厚度在约1,000至约3,000范围内的多晶硅层。