[发明专利]微弧氧化工件真空溅镀EMI薄膜结合电泳涂装加工工艺在审

专利信息
申请号: 200710131370.9 申请日: 2007-08-28
公开(公告)号: CN101376974A 公开(公告)日: 2009-03-04
发明(设计)人: 郭雪梅;吴政道 申请(专利权)人: 汉达精密电子(昆山)有限公司
主分类号: C23C28/00 分类号: C23C28/00;C25D11/02;C23C14/34;C23C14/06;C25D13/00
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摘要:
搜索关键词: 氧化 工件 真空 emi 薄膜 结合 电泳 加工 工艺
【说明书】:

【技术领域】

发明有关一种微弧氧化工件表面加工工艺,且特别有关于一种采用真空溅镀EMI薄膜结合电泳涂装对微弧氧化工件进行加工的工艺。

【背景技术】

微弧氧化技术以其工艺简单、效率高、无污染、处理能力强等特点,得以迅速发展。微弧氧化技术(Microarc oxidation,MAO)是微等离子体表面陶瓷化技术的简称,近几年国内外发展较快的一项高新技术。MAO是在以Mg、Al、Ti、Zr、Ta、Nb等金属或其合金(称之为Valve Metal)的工件表面原位生成优质的强化陶瓷膜。该技术是一项具有广泛应用前景的金属材料表面改性技术。

众所周知,大多的微弧氧化工件应用于生产中往往需要进行再加工如:防EMI(Electromagnetic Interference译为电磁干扰)处理、涂装处理等,现有EMI技术采用水电镀的方式有污染环境的问题,而传统的涂装技术主要有喷涂、静电、粉体等方式的涂装,但在环保方面都有不可避免的环境污染问题,如采用吹气式喷枪涂装作业,不但浪费油漆而且作业效率低。

有鉴于此,实有必要开发一种微弧氧化工件的加工工艺,该微弧氧化工件的加工工艺制程简单、量产性高且使加工工件兼具陶瓷、透彩和防EMI效果。

【发明内容】

本发明目的在于提供一种微弧氧化工件的加工工艺,该微弧氧化工件的加工工艺制程简单、量产性高且使加工工件兼具陶瓷、透彩和防EMI效果。

为达到上述目的,本发明提供一种微弧氧化工件真空溅镀EMI薄膜结合电泳涂装加工工艺,其工艺流程为:选定基材→基材表面前处理→微弧氧化处理→EMI溅镀处理→电泳涂装处理;其中:

基材表面前处理,将选定的基材经脱脂、超声波清洗、烘干处理;

微弧氧化处理,将经过表面前处理的基材放入电解液中,进行表面微弧氧化处理,使该基材生成微弧氧化工件,且将该微弧氧化工件表面清洗,并烘干;

溅镀EMI薄膜处理,将微弧氧化工件表面上通过真空溅镀处理镀上金属层,以使微弧氧化工件表面具有导电性和防EMI效果;

电泳涂装处理,将具导电的微弧氧化工件进行电泳涂装处理,在微弧氧化工件表面上析出均匀、水不溶涂层。

特别地,所述选定的基材可为Al、Mg、Ti等可钝化的金属或其合金;

特别地,所述微弧氧化处理选定金属基材为阳极,不锈钢或铅板为阴极,通过控制电压和时间等工艺参数,在金属基材表面上生成厚度为3~20μm陶瓷层;

特别地,所述EMI溅镀处理是在微弧氧化工件上镀上Cu金属导电层与SUS防护层,该SUS防护层用于防止Cu金属被氧化,且Cu金属导电层厚度为0.5~1μm,SUS防护层厚度为0.1~0.3μm,此时微弧氧化工件具备防EMI与导电性;

特别地,所述电泳涂装处理是将具导电性的微弧氧化工件,浸渍在装有电泳涂料槽子中作为阳极(或阴极),在槽中另设对应的阴极(或阳极),在两极间通一定时间的直流电,在微弧氧化工件表面上析出均匀、水不溶涂层,且涂层厚度为0.1~10μm。

相较于现有技术,本发明提供一种微弧氧化工件真空溅镀EMI薄膜结合电泳涂装加工工艺,有效地结合真空溅镀EMI制程和电泳涂装技术的优势,在微弧氧化工件上得到兼具陶瓷效果和EMI效果的美观涂层,具有很好的应用前景。

为对本发明的目的、工艺流程及其功能有进一步的了解,兹配合附图详细说明如下:

【附图说明】

图1为本发明微弧氧化工件真空溅镀EMI薄膜结合电泳涂装加工工艺一较佳实施例的工艺流程图。

【具体实施方式】

请参阅图1,为本发明微弧氧化工件真空溅镀EMI薄膜结合电泳涂装加工工艺一较佳实施例的工艺流程图。

如图1所示意,该工艺流程为:

步骤101,选定基材,该基材可为Al、Mg、Ti等可钝化的金属或其合金,本实施例中选定铝合金基材;

步骤102,基材表面前处理,铝合金基材经脱脂、超声波清洗、烘干,待用;

步骤103,微弧氧化处理,将清洗后铝合金基材放入电解液中,金属基材为阳极,不锈钢为阴极,进行微弧氧化处理。通过控制电压和时间等工艺参数,在Al合金基材表面上生成厚度为3~20μm陶瓷层,使该Al合金基材生成微弧氧化工件;并将该微弧氧化工件在超声波清洗5~10min,烘干待用;

步骤104,溅镀EMI薄膜处理,在微弧氧化工件上镀上Cu金属导电层与SUS防护层,该SUS防护层用于防止Cu金属被氧化,且Cu金属导电层厚度为0.5~1μm,SUS防护层厚度为0.1~0.3μm,此时微弧氧化工件具备防EMI与导电性;

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