[发明专利]用于绝缘体上的硅槽刻蚀方法

权利要求书

1.用于绝缘体上的硅槽刻蚀方法，包括位于衬底硅(1)上的埋氧层(2)，在埋氧层(2)上有顶层硅(3)，其特征是：

步骤一、先在顶层硅(3)上进行热氧化，形成SiO₂层(4)，再在SiO₂层(4)淀积SiN，形成SiN层(5)；

步骤二、在SiN层(5)上涂光刻胶(6)，并留出一个没有涂光刻胶(6)的区域，对该区域进行光刻，形成硅槽刻蚀窗口；

步骤三、再对硅槽刻蚀窗口进行等离子体反应刻蚀，腐蚀掉SiN层(5)与SiO₂层(4)，露出顶层硅(3)，所述等离子体气体的主要成分为90sccm的SF₆、50sccm的He；

步骤四、用混合酸对露出的顶层硅(3)进行各向同性的硅槽腐蚀，腐蚀深度0.3～0.6μm；所述混合酸包括5.59份的HNO₃、0.134份的HF、2.27份的H₂O；单位为体积份；

步骤五、对上述经混合酸腐蚀过的顶层硅(3)继续进行等离子体反应刻蚀，形成硅槽，刻蚀深度0.3～0.6μm，等离子体的主要气体成分包括70sccm的Cl₂、150sccm的He；

步骤六、对硅槽进行LOCOS氧化，形成的氧化层(7)和埋氧层(2)相连形成SOI硅槽的全介质隔离。