[发明专利]阴极化碲电极制备高荧光效率碲化镉量子点无效
申请号: | 200710134534.3 | 申请日: | 2007-10-31 |
公开(公告)号: | CN101423760A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 葛存旺;徐敏;鞠熀先 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | C09K11/88 | 分类号: | C09K11/88 |
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地址: | 210093江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阴极 电极 制备 荧光 效率 碲化镉 量子 | ||
一、技术领域
本发明属于纳米材料领域中的半导体量子点的制备方法。它用电化学方法,通过 阴极化碲电极制备碲化镉前驱体,以含巯基的化合物或能与镉离子配位的化合物为稳 定剂,水相制备高荧光效率碲化镉量子点,该量子点可以在纳米器件、光电子学及生 物传感等领域都有广阔的应用前景。
二、背景技术
碲化镉量子点由于量子尺寸效应和介电限域效应,发射波长可以由绿光到红光, 其独特的光电特性使碲化镉量子点在固态发光[1]、光通信[2]和生物成像与检测[3]领 域的应用日益受到关注。与金属有机溶剂法相比,水相合成法具有成本低、易操作、 毒性小、水溶液中稳定性高和生物兼容性好等优点。目前,水相合成碲化镉量子点的 碲源主要是碲氢化钠和碲化铝,碲氢化钠需要通过碲粉与还原剂硼氢化钠反应制备 [4],碲化铝易吸收空气中的水,不易储存,使用时与硫酸反应生成碲化氢。这两种 碲源因易被空气中的氧气氧化,需要现场制备,且需要使用真空线技术(Schlenk line), 因此制备过程较为复杂。
由于水相合成时温度低,现有制备方法中的纳米晶没有明确的成核及生长界限, 导致所获得的量子点荧光半峰宽度较宽,粒径分布不均匀,量子效率较低(3%~ 10%)[5]。张浩等[6]为了提高水相合成量子点的荧光效率,用水热法在较高的温度和 压力下,在水相中合成CdTe纳米量子点,最大荧光量子产率也只有30%。为了克服现 有量子点的缺点及满足各种需要,人们正在不断地尝试改变合成条件,提高荧光量子 产率。本发明中使用碲电极制备碲化镉前驱体,合成的碲化镉量子点具有较高的高荧 光效率,为量子点的应用奠定了基础。
[1]M.Gao,C.Lesser,S.Kirstein et al.,J. Appl Phys.2000,87,2297.
[2]G.Z.Zou,H.X.Ju,Anal.Chem.2004,76,6871.
[3]M.Bruchez,M.Moronne,P.Gin et al.,Science 1998,281,2013.
[4]D.L.Klayman,T.S.Griffin,J. Am.Chem.Soc.1973,95,197.
[5]N.Gaponik,D.V.Talapin,A.L.Rogach et al.,J. Phys.Chem.B 2002,106,7177.
[6]H.Zhang,L.Wang,H.Xiong,et al.,Adv.Mater.2003,15,1712.
三、发明内容
本发明的目的是:提出一种合成高荧光效率碲化镉量子点的方法,用电化学方法, 通过阴极化碲电极制备碲化镉前驱体。合成操作在敞开体系中进行,不需要使用特定 的保护气氛,具有简便、快速、绿色、重现性好和成本低等特点,为合成高质量碲化 镉量子点提供了一个切实可行的途径,将在纳米器件、光电子学及临床诊断等领域都 有广阔的应用前景。
本发明通过以下技术方案来实现,其步骤如下:
(1)碲电极的制备,用环氧树脂将碲棒密封在玻璃管或聚四氟乙烯管中,另一 端以填充石墨与导线相连。
(2)镉源溶液配制:以氯化镉、高氯酸镉、硫酸镉或硝酸镉为镉源,以巯基化 合物或水溶性高分子为稳定剂,配制镉的巯基配合物,并用氢氧化钠调节pH值到11。 氯化镉与琉基化合物的摩尔比为1∶1.5~1∶4。
(3)碲化镉前驱体溶液的制备:以碲电极为工作电极、Ag/AgCl电极为参比电 极、Pt丝为对电极,镉源溶液为电解液,通氮气去除电解液中的溶解氧后,在-0.90~ -1.2V的阴极化电位下进行电解,生成的碲离子量可通过流过工作电极的电量控制, 镉和碲的摩尔比控制在1∶0.3~1∶0.6。
(4)碲化镉量子点的形成:将(3)中制备的碲化镉前驱体溶液在70~95℃的水浴 中加热(80℃加热形成的量子点晶型最佳),控制加热时间可以调节制得的碲化镉量子 点的粒径、最大发光波长和荧光量子产率。
(5)碲化镉量子点的纯化:将制得的碲化镉量子点溶液置于透析袋中,在二次 水中透析24小时,去除游离的离子和多余的稳定剂,可得稳定剂包覆的碲化镉量子 点溶液。
碲化镉量子点具有较好的稳定性,在4℃环境下可以保存数月。
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