[发明专利]半导体装置之制造方法及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：(a)工序，准备引线框，所述引线框具有沿着厚度方向相互位于相反侧的第1主面及第2主面，且具有在每个单位区域中的芯片搭载部及多个引线；(b)工序，在所述引线框的所述芯片搭载部的第2主面上，搭载所述半导体芯片；(c)工序，通过焊接线电性连接所述半导体芯片和所述引线框的所述多个引线；(d)工序，以覆盖所述多个引线的各引线的一部分，整个所述半导体芯片及整个所述焊接线的方式，形成封装体；(e)工序，在所述多个引线中，对从所述封装体中露出的部分进行镀敷处理；以及(f)工序，切割所述引线框的一部分，使所述封装体从所述引线框分开，且对所述(a)工序中的引线框实施如下工序，(a1)在所述引线框的所述多个引线的各引线的第2主面中，在并未接合有所述焊接线且由所述封装体覆盖的部分中，在和所述多个引线的各引线的第2主面交叉的方向上，以横切所述多个引线的各引线长度方向的方式，形成凹槽，(a2)在所述引线框中所述多个引线的各引线第2主面上，对接合有所述焊接线的部分，以相对靠近所述半导体芯片的位置的压溃量大于相对远离所述半导体芯片的位置的压溃量的方式进行压溃加工，(a3)对所述引线框中所述多个引线接合有所述焊接线的部分，实施镀敷处理。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述(a)工序中所述引线框的所述多个引线的各引线第2主面侧，接合有所述焊接线的部分，形成有相对于所述多个引线的各引线第2主面倾斜的第3主面。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述(a2)中所述引线框的所述多个引线的各引线的压溃量，大于所述(a3)中的镀敷的厚度。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：(a)工序，准备引线框，所述引线框具有沿着厚度方向相互位于相反侧的第1主面及第2主面，且具有在每个单位区域中的芯片搭载部及多个引线；(b)工序，在所述引线框的所述芯片搭载部的第2主面上，搭载所述半导体芯片；(c)工序，通过焊接线电性连接所述半导体芯片和所述引线框的所述多个引线；(d)工序，以覆盖所述多个引线中的各引线的一部分，整个所述半导体芯片及整个所述焊接线的方式，形成封装体；(e)工序，在所述多个引线中，对从所述封装体中露出的部分进行镀敷处理；以及(f)工序，切割所述引线框的一部分，使所述封装体从所述引线框分开，且所述(a)工序具有如下工序：(a1)工序，在所述引线框中所述多个引线的各引线第2主面中，并未接合有所述焊接线且由所述封装体覆盖的部分上，在和所述多个引线的各引线第2主面交叉的方向上，以横切所述多个引线的各引线长度方向的方式，形成凹槽；(a2)工序，在所述引线框中所述多个引线的各引线第2主面中，对接合有所述焊接线的部分施行压溃加工；(a3)工序，对所述引线框中所述多个引线接合有所述焊接线的部分，实施镀敷处理；以及(a4)工序，在上下引线框的第1主面和第2主面相对向的状态下，在厚度方向上堆积所述(a1)～(a3)工序后的多个所述引线框，且在所述(a2)工序中，对所述多个引线的各引线，以相对靠近所述半导体芯片的位置的压溃量，大于相对远离所述半导体芯片的位置的压溃量的方式实施压溃加工。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述(a2)工序中，在所述多个引线的各引线第2主面侧接合有所述焊接线的部分，形成相对所述多个引线的各引线第2主面倾斜的第3主面。

6.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述(a2)工序中的压溃量大于所述(a3)工序中实施镀敷的厚度。

7.一种半导体装置，其特征在于，具有：封装体，其具有沿着厚度方向相互位于相反侧的第1主面及第2主面；半导体芯片，其封装于所述封装体的内部；芯片搭载部，其封装于所述封装体的内部且搭载有所述半导体芯片；多个引线，其一部分从所述封装体的第1主面露出；以及多个焊接线，其封装于所述封装体的内部，且电性连接所述半导体芯片和所述多个引线，且在所述多个引线的各引线第2主面上，接合有所述焊接线的部分被压溃加工，而在所述多个引线的各引线第2主面上，接合有所述焊接线且经过所述压溃加工的部分，被实施镀敷处理，并且在所述多个引线的各引线第2主面上接合有所述焊接线的部分上，相对靠近所述半导体芯片的位置的压溃量，大于相对远离所述半导体芯片的位置的压溃量。