[发明专利]半导体装置之制造方法及半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置之制造方法及半导体装置的技术，特别是涉及适用于如下半导体装置之制造方法及半导体装置的有效技术，此种半导体装置使用有引线之打线接合部经压溃加工的所谓压框。

背景技术

在QFN(Quad Flat Non leaded package，四侧无引线扁平封装)等所代表的无引线封装型半导体装置中，考虑到确保引线和焊接线的接合可靠性，有时使用压框，对在引线中接合有焊接线的部分进行压溃加工(冲压)。

此外，在无引线封装型半导体装置中，因有时引线较短而导致在塑封工序后产生脱落，因此考虑到强化引线和塑封树脂的密着性，在引线表面的一部分中和塑封树脂相接的部位，在和引线表面交叉的方向上设置凹槽(notch)。

对于QFN而言，例如在日本专利特开2005-276890号公报(专利文献1)中有所揭示。所述专利文献1中，揭示有如下技术：在无引线封装型半导体装置的引线中，通过蚀刻或压溃加工，使连接有焊接线的部分凹陷，并使焊接线的拱丝高度低于所述凹陷量，由此使焊接线不致从封装体下表面露出。

此外，在所述专利文献1中，揭示有如下技术：在和引线中接合有焊接线的面相反之面上形成凹槽，并强化引线和塑封树脂的密着性，据此防止引线脱落。

此外，例如在日本专利特开平7-245365号公报(专利文献2)中，揭示有如下技术：在多引脚封装用的引线框的制造方法中，当对内引线前端进行冲压加工时，以使各内引线的冲压加工的面积相等的方式进行加工，以此防止引线出现位置偏离或相邻引线间出现短路。例如揭示有形成斜面使内引线的前端侧处于低位的技术，来作为使所述冲压加工的面积相等的方法。

此外，在所述专利文献2中的段落[0022]中，揭示有如下问题：因进行压溃加工而使内引线的前端弹起。

【专利文献1】

日本专利特开2005-276890号公报

【专利文献2】

日本专利特开平7-245365号公报(段落[0022])

发明内容

[发明所欲解决的问题]

然而，在使用所述压框的无引线封装型半导体装置中，本发明者提出存在如下问题。通过图1～图10对此类问题加以说明。

图1表示冲压加工处理前的引线50的主要部位剖面图。在引线50中，图1的左侧表示朝向半导体芯片的前端部。在引线50的上表面，沿着引线50的宽度方向而形成有V字状槽51，其延伸于和引线50上表面交叉的方向上。

其次，图2～图4表示冲压加工处理中的引线50的主要部位剖面图。首先，如图2所示，在引线50的上表面的上方配置冲压凸模52。冲压凸模52的挤压面和引线50的上表面大致平行。随后，使所述冲压凸模52下降，如图3所示，将其推到引线50的前端部上，冲挤引线50的前端部。此后，如图4所示，使冲压凸模52上升，并离开引线50。此时，以形成于引线50上表面的槽51为支点，引线50的前端部向上方弹起(变形)。

其次，图5表示塑封工序后的半导体装置的主要部位剖面图。对所述引线50进行冲压处理之后，在引线50前端部的上表面形成镀银(Ag)层53，再于镀银层53的上表面上接合焊接线54后，转移到塑封工序。在塑封工序中，利用塑封树脂形成封装体55。此时，如上所述，因引线50前端部向上弹起，因此，在塑封模具的下模和引线50的下表面之间，形成有间隙，其结果为：塑封树脂进入到所述间隙内，形成毛边(溢胶)55a，覆盖引线50的一部分下表面。因此，存在如下问题：当随后对引线50表面进行镀敷处理时，会因毛边55a阻碍而无法在引线50下表面上形成镀敷层，因此无法将半导体装置安装于配线基板上。

因此，若减少所述冲压处理时引线50的压溃量，则可抑制引线50前端弹起，故可减小或防止因所述毛边而导致半导体装置安装不良。然而，此时存在如下问题。通过图6及图7对所述问题加以说明。图6表示将冲压处理后的引线框堆积起来进行搬运·保管时引线50的主要部位剖面图。此外，图7表示打线焊接工序后的引线50的主要部位剖面图。

如上所述，存在如下情形：若减小冲压处理中的引线50前端部上表面的压溃量，则如图6所示，当将引线框堆积起来进行搬运·保管时，会使上侧引线框的引线50下表面和下侧引线框的引线50上表面(形成有镀敷层53的面)相接触。其结果为：在下侧引线50前端部的上表面镀敷层53上，会产生擦伤。然而，在所述状态下，进行打线焊接处理的话，则如图7所示，会存在如下问题，在所述引线50的前端部上表面带有擦伤的镀敷层53上，对焊接线54进行接合后，会导致出现接合不良。