[发明专利]用于处理扁平、易碎的基体的方法和装置

权利要求书

1.一种用于处理特别是用于半导体工业和太阳能工业的扁平、易碎的基体的方法，其中，引导所述基体水平地穿行通过浴液，其中，所述基体的至少一个接触面在这里与接触装置相接触，并由此使该接触面具有一定的电势，该电势与布置在浴液中的对应电极的电势不同，

其特征在于，在接触装置(7)和基体(2)之间的接触区域内将浴液吹走或吸走。

2.按权利要求1的方法，其特征在于，采用空气作为用于吹送的气体。

3.按权利要求1的方法，其特征在于，采用氮气作为用于吹送的气体。

4.按上述权利要求的任一项的方法，其特征在于，跟踪基体(2)的运动路径，并且只是在接触装置(7)与基体(2)的接触面相接触的时间内向至少一个接触装置(7)施加处理基体(2)所需要的电势。

5.按上述权利要求的任一项的方法，其特征在于，在接触装置(7)不与基体(2)的接触面相接触的时间内，向所述至少一个接触装置(7)施加一第二电势，所述电势适于使在处理时通过第一电势运行的反应逆转。

6.一种用于处理特别是用于半导体工业和太阳能工业的扁平、易碎的基体的装置，包括：

a)一用浴液填充到一定液面的浴容器；

b)一输送装置，利用该输送装置可以引导所述基体水平穿行通过浴液；

c)一处理电源；

d)至少一个接触装置，可使所述接触装置与至少一个布置在所述基体上的接触面相接触，此时该接触装置使所述接触面与处理电源的一极相连

e)至少一个对应电极，该对应电极布置在浴液中并与处理电源的另一极相连

其特征在于，

f)所述至少一个接触装置(7)配设有至少一个吹气或抽吸装置(11)，所述吹气或抽吸装置设置成可吹空或抽空接触装置(7)和基体(2)的接触面之间的接触区域。

7.按权利要求6的装置，其特征在于，采用空气作为用于吹送的气体。

8.按权利要求6的装置，其特征在于，采用氮气作为用于吹送的气体。

9.按权利要求6至8中任一项的装置，其特征在于，

a)设有位置确定装置(10)，可利用该位置确定装置检测每个基体(2)当前的位置；

b)设有控制装置(9)，该控制装置根据所述位置确定装置(10)的输出信号只在接触装置(7)与基体(2)的接触面相接触的时间内向所述至少一个接触装置(7)施加处理基体所需要的电势。

10.按权利要求9的装置，其特征在于，在接触装置不与基体的接触面相接触的时间内，所述控制装置向所述至少一个接触装置施加一第二电势，所述电势适于使在处理时通过第一电势运行的反应逆转。