[发明专利]用于处理扁平、易碎的基体的方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于处理特别是用于半导体工业和太阳能工业的扁平、易碎的基体的方法，其中，引导所述基体水平地穿行通过浴液，其中，所述基体的至少一个接触面在这里与接触装置相接触，并由此使该接触面具有一定的电势，该电势与布置在浴液中的对应电极的电势不同，

以及

一种用于处理特别是用于半导体工业和太阳能工业的扁平、易碎的基体的装置，包括：

a)一用浴液填充到一定液面(Spiegel)的浴容器；

b)一输送装置，利用该输送装置可以引导所述基体水平地穿行通过浴液；

c)一处理电源；

d)至少一个接触装置，可使所述接触装置与至少一个布置在所述基体上的接触面相接触，此时该接触装置使所述接触面与处理电源的一极相连

e)至少一个对应电极，该对应电极布置在浴液中并与处理电源的另一极相连。

背景技术

在半导体工业和太阳能工业中，经常对各种不同类型的、非常扁平和薄的基体如硅片(晶片(Wafer))、硅板和玻璃板进行湿处理。在这种情况下，特别是对这种基体的电化学处理感兴趣。在这种处理中，电接通所述基体，并对其进行电解处理，例如清洗、电镀或蚀刻。在电化学处理中，基体表面可以连接成阴极或阳极。为了进行电镀，将基体表面极化为阴极，而为了进行蚀刻或清洗，则将其极化为阳极。

此时，通常只要求对扁平基体在穿过还布置有对应极的浴液时朝下的一侧进行电化学处理，而通过所述基体朝上的一侧上的接触面进行接通。这里由一与处理电源的一极相连的接触装置对所述接触面进行接触。这里有这样的问题，即对所述接触装置本身也进行了不希望的电化学处理，即，例如特别是进行了电镀。

由DE19628784A和DE19633797A已知滚轮接触装置。对于这里所描述的接触装置必须定期进行去金属化。例如在发生镀金的情况下，很难或根本不可能对所述接触装置进行复杂的去金属化。因此，无法进行如EP0578699B1所述的电解去金属化。在这种情况下而是必须周期性地更换所述接触装置。在已知的设备中，大约每隔12至24小时就必须进行这种更换。这是非常费时的，并且会导致生产设备长时间的停机。

由WO 2005/093788A1还已知一种用于以水平穿行对基体表面进行单侧处理的方法。这里，只是对穿行基体的下侧以及必要时还有靠外的上边缘进行润湿。但是，如果基体略微隆起，则在实践中，对于精确平坦的基体，这是非常难以实现的，或者根本无法实现。

发明内容

本发明的目的是，提供一种开头所述类型的方法和装置，在所述方法或装置中，可以大大降低对接触装置不希望的电化学处理，特别是对接触装置的金属化。

在方法方面，这样来实现所述目的，即，在接触装置和基体之间的接触区域内将浴液吹走或吸走。

与现有技术不同，根据本发明，基体完全浸入浴液中，但只是以较短的距离位于浴液的液面下。这样，借助于吹送或抽吸装置就可以在一动态的过程中保持接触装置基本上无浴液。因为此时接触装置和浴液之间没有或只有很少的接触，接触装置和浴液之间发生的不希望的反应也非常有限。

在最简单的情况下，如果空气中氧的存在不会导致问题，则采用空气作为用于吹送的气体。

但在很多情况下，浴液对于空气中的氧气是敏感的，因此采用惰性气体，优选是氮气作为所述气体。

通过上述根据本发明的措施，基本上可以避免，至少是明显降低接触装置不希望的电化学变化，特别是金属化。此时如果还残留有剩余的接触装置的干扰性变化，特别是金属化，可以选择这样一种方法变型，其中，跟踪基体的运动路径，并且只是在接触装置与基体的接触面相接触的时间内向所述至少一个接触装置施加处理基体所需要的电势。利用这种方式，可以明显缩短在所述接触装置上发生不希望的电化学作用的时间。

在很多电化学处理中，可以通过逆转极性而使反应逆转。在这种情况下，所述方法可以这样执行，即，在接触装置不与基体的接触面相接触的时间内，向所述至少一个接触装置施加一第二电势，所述电势适于使在处理时通过第一电势运行的反应逆转。对于金属化的情况，这意味着，在接触装置没有贴靠在基体的接触面上的时间内，通过相应地选择电势，使接触装置上的金属沉积物溶解。以这种方式可以进一步延长接触装置的使用寿命。

在装置方面，这样来实现所述目的，即：

f)所述至少一个接触装置配设有至少一个吹气或抽吸装置，所述吹气或抽吸装置设置成可吹空或抽空接触装置和基体的接触面之间的接触区域。