[发明专利]发光元件的制造方法无效
| 申请号： | 200710136251.2 | 申请日： | 2007-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN101106103A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 古谷章 | 申请（专利权）人： | 优迪那半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/782 | 分类号： | H01L21/782;H01L21/78;H01L33/00;B23K26/40;B23K101/40 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 元件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光元件的制造方法，该方法包括以下步骤：
向形成在基板上的用于分离发光元件的分割区域照射激光；
沿着所述分割区域将所述基板物理分割；以及
去除通过分割所述基板而暴露出的所述基板的至少一个侧面上的表面层。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述基板是蓝宝石基板。
3.如权利要求1所述的方法，其中，在去除所述表面层的步骤中，去除所述基板的所有暴露侧面上的所述表面层。
4.如权利要求1所述的方法，其中，在去除所述表面层的步骤中，采用吹砂法去除所述表面层。
5.如权利要求1所述的方法，其中，在去除所述表面层的步骤中，采用蚀刻法去除所述表面层。
6.如权利要求1所述的方法，该方法还包括：在分割所述基板的步骤之前在所述基板的照射了激光的面上形成保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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