[发明专利]发光元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明总体上涉及发光元件的制造方法，更具体地讲，本发明涉及一种包括去除发光元件的侧面的表面层的工序的发光元件制造方法。

背景技术

发光元件是发射光的器件，例如LED(发光二极管)或者LD(激光二极管)。除了光通信系统和利用光存储介质的存储装置之外，发光元件还用在显示器的光源中或者用在照明中。对光电转换效率高并且廉价的发光元件存在需求。

近来，已经开发出这样的发光元件，在该发光元件中在例如由蓝宝石或SiC(碳化硅)构成的硬基板上形成有GaN(氮化镓)类发光层。为了降低制造发光元件的成本，需要可量产地将硬基板切割成小的芯片尺寸(chip-sized)的器件。在具有蓝宝石基板的GaN类LED的情况下，芯片尺寸为300μm，蓝宝石基板坚硬。因此，对于通常被用作发光元件的分离方法的切割法(dicing method)或利用金刚石划线器的划线折断法，批量生产率低。存在一种通过向蓝宝石基板照射激光来分割蓝宝石基板的方法。

第2004-165226号日本专利申请公报(以下称作文献1)公开了一种方法：在将激光照射到蓝宝石基板的分割区域然后对形成在蓝宝石基板上的凹槽中的融化又重新固化的区域或者蒸发又重新固化的区域进行吹砂处理之后，将器件被分割为小片。

图1A至图1 C示出了传统技术的问题。如图1A中所示，n型GaN覆层12、GaInN量子阱活性层14和p型GaN覆层16形成在蓝宝石基板10上作为发光部30。在n型覆层12上形成有电极18。在p型覆层16上形成有电极19。从蓝宝石基板10的与发光部30相对的面，向用于分离发光元件的分割区域照射激光。如图1B所示，因为蓝宝石蒸发，所以在蓝宝石基板10的被激光照射的分割区域上形成了凹槽20。

如图1C所示，蓝宝石基板10沿着凹槽20被分割，从而形成了发光元件(LED)32。发光元件32从发光部30向四个方向发射光。蓝宝石基板10的与发光部30相对的面被称作发光面S1。

本发明人调查了来自采用图1A至图1C所示的方法而分离的发光元件以及来自采用划线折断法而分离的发光元件的发光量。划线折断法是一种在不使用激光照射进行划线之后执行折断的方法。结果，可以确认的是，来自采用图1A至图1C所示的方法而分离的发光元件的发光量要比来自采用划线折断法而分离的发光元件的发光量低大约10％。

根据本发明人的考察，在照射了激光的分割区域中，随着激光照射温度升高但没有蒸发的区域发生变质，从而形成了变质层22。可以确认的是，因为变质层22吸收光，所以发光量降低。并且可以确认的是，如图1B所示，即使凹槽20不深，变质层22也会沿着激光在蓝宝石基板10中深深地延伸。因此，即使采用文献1中的方法，也无法去除在蓝宝石基板10中深深地延伸的变质层22。并且，即使采用文献1中的方法，也无法充分抑制由变质层22引起的发光量降低。

发明内容

本发明提供了一种发光元件的制造方法，该方法可以抑制由采用激光照射而形成的变质层所引起的发光量降低。

根据本发明的一方面，优选的是，提供了一种发光元件的制造方法，该方法包括以下步骤：向形成在基板上的用于分离发光元件的分割区域照射激光；沿着所述分割区域将所述基板物理分割；以及去除通过分割所述基板而暴露出的所述基板的至少一个侧面上的表面层。

采用上述方法，可以去除由于激光而深深地形成在基板中没有蒸发的变质层。并且可以提高发光元件的光提取效率。

附图说明

将参照下面的附图来详细描述本发明的优选实施方式，在附图中：

图1A至图1C例示了发光元件制造工艺的示出传统技术的问题的截面图；

图2例示了发光元件的示出根据文献1的技术的问题的截面图；

图3A例示了其上具有发光元件的晶片的俯视图；

图3B例示了沿着图3A中的线A-A截取的截面图；

图4A至图4E例示了根据第一实施方式的发光元件的制造工艺；

图5A至图5C例示了根据第一实施方式的发光元件的制造工艺；

图6A和图6B分别例示了根据第一实施方式的发光元件的俯视图和截面图；

图7A至图7E例示了根据第二实施方式的发光元件的制造工艺；

图8A和图8B分别例示了根据第二实施方式的发光元件的俯视图和截面图；以及

图9例示了根据第三实施方式的发光元件的制造工艺。

具体实施方式

现在将参照附图给出对本发明实施方式的描述。