[发明专利]自对准双段衬垫及其制造方法

权利要求书

1.一种形成覆盖单衬底上的第一和第二组半导体器件的双段衬垫的方法，该方法包括：

形成覆盖所述第一组半导体器件的第一衬垫和在所述第一衬垫的顶部上的第一保护层，所述第一保护层具有平坦顶表面；

形成第二衬垫，所述第二衬垫具有覆盖所述第一保护层的第一部分、过渡部分、以及覆盖所述第二组半导体器件的第二部分，所述第二部分通过所述过渡部分与所述第一衬垫自对准；

在所述第二衬垫的所述第二部分的顶部上形成第二保护层；

去除所述第二衬垫的所述第一部分以及所述过渡部分的至少一部分；以及

获得包括所述第一衬垫、所述第二衬垫的所述过渡部分的一部分和所述第二部分的所述双段衬垫。

2.根据权利要求1的方法，其中在所述第二衬垫的所述第二部分的顶部上形成所述第二保护层包括：

在所述第二衬垫的顶部上沉积所述第二保护层；以及

使所述第二保护层的顶表面凹进，以暴露所述第二衬垫的所述第一部分和所述过渡部分。

3.根据权利要求2的方法，其中使所述第二保护层的所述顶表面凹进包括应用化学机械抛光(CMP)工艺以去除所述第二衬垫的所述第一部分和所述过渡部分的顶部上的所述第二保护层。

4.根据权利要求1的方法，其中在所述第一衬垫的顶部上形成所述第一保护层包括：

在所述第一衬垫的顶部上沉积电介质材料层；

平面化所述电介质材料层的顶表面；以及

在所述电介质材料层的顶部上沉积所述第一保护层。

5.根据权利要求4的方法，其中平面化所述电介质材料的所述顶表面包括应用化学机械抛光(CMP)工艺以使所述电介质材料的所述顶表面凹进而与所述第一衬垫共面。

6.根据权利要求1的方法，其中去除所述第二衬垫的所述第一部分以及所述过渡部分的至少一部分包括：

选择性地刻蚀所述第二衬垫的所述第一部分和所述过渡部分；

监测来自所述选择性刻蚀的废气的内含物水平；以及

继续所述选择性刻蚀直到所述废气的所述内含物水平呈现变化。

7.根据权利要求6的方法，包括在所述内含物水平呈现所述液滴之后继续所述选择性刻蚀至预先确定的时间，以去除小于且优选地等于所述第一保护层的厚度的所述第二衬垫的所述过渡部分的至少一部分。

8.根据权利要求7的方法，其中所述选择性刻蚀包括应用反应离子刻蚀(RIE)工艺，其使用气体混合物，以去除所述第二衬垫的所述第一部分以及所述过渡部分的所述至少一部分，所述气体混合物包括CH₃F、CH₂F₂、CHF₃、CF₄、O₂、CO和Ar的一种或多种。

9.一种形成覆盖单衬底上的第一和第二组半导体器件的双段衬垫的方法，该方法包括：

形成覆盖所述第一组半导体器件的第一衬垫和在所述第一衬垫的顶部上的第一保护层，所述第一保护层具有平坦顶表面；

形成第二衬垫，所述第二衬垫具有覆盖所述第一保护层的第一部分、过渡部分、以及覆盖所述第二组半导体器件的第二部分，所述第二部分通过所述过渡部分与所述第一衬垫自对准；

在所述第二衬垫的顶部上形成第二保护层；

去除所述第二衬垫的所述第一部分以及所述过渡部分的至少一部分；以及

获得包括所述第一衬垫、所述第二衬垫的所述过渡部分的一部分和所述第二部分的所述双段衬垫。

10.根据权利要求9的方法，其中去除所述第二衬垫的所述第一部分以及所述过渡部分的所述至少一部分包括：

使所述第二保护层凹进，以暴露所述第二衬垫的所述第一部分以及所述过渡部分；

非选择性地刻蚀所述第二衬垫的所述第一部分和所述过渡部分以及所述第二衬垫的所述第二部分的顶部上的所述第二保护层；

监测来自所述非选择性刻蚀的废气的内含物水平；以及

当所述内含物水平呈现变化模式时终止所述非选择性刻蚀。