[发明专利]非易失性存储器

权利要求书

1.一种非易失性存储器，包括：

沿行方向和列方向将多个存储单元配置为矩阵状的存储单元阵列；

多个第一字线；

多个第二字线；以及

多个位线，

其中，所述多个存储单元的每一个具有串联连接的第一存储晶体管和第二存储晶体管，

并且，所述第一存储晶体管的栅电极连接到所述第一字线，

并且，所述第二存储晶体管的栅电极连接到所述第二字线，

并且，所述第一存储晶体管的源区和漏区中的一个连接到第一位线，

并且，所述第二存储晶体管的源区和漏区中的一个连接到第二位线，

并且，所述第一位线和所述第二位线提供为在相邻的列的存储单元之间通用。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中所述非易失性存储器能够每一位地写入数据且每一位地擦除数据。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中通过利用隧道电流来对所述存储单元进行数据的写入和擦除。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中所述第一存储晶体管及所述第二存储晶体管为n沟道型晶体管。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中所述第一存储晶体管及所述第二存储晶体管为p沟道型晶体管。

6.一种包含根据权利要求1所述的非易失性存储器的半导体装置，还包括天线。

7.一种包含根据权利要求1所述的非易失性存储器的电子设备，其中该电子设备选自包括摄像机、数字照相机、护目镜型显示器、头戴显示器、导航系统、音频再现装置、汽车音响、音响组件、计算机、游戏机、便携式信息终端、移动计算机、移动电话、便携式游戏机、电子书、以及具有记录媒质的图像再现装置的组。

8.一种非易失性存储器，包括：

将(m×n)个存储单元配置为m个行和n个列的矩阵状的存储单元阵列，其中，m和n是等于或大于1的整数；

m个第一字线；

m个第二字线；以及

相邻设置第一位线和第二位线的(n+1)个位线，

其中，所述多个存储单元的每一个具有串联连接的第一存储晶体管和第二存储晶体管，

并且，所述第一存储晶体管的栅电极连接到所述第一字线，

并且，所述第二存储晶体管的栅电极连接到所述第二字线，

并且，所述第一位线连接到设在第(j-1)列的存储单元中的每个第二存储晶体管的源区和漏区中的一个、以及设在第j列的存储单元中的每个第一存储晶体管的源区和漏区中的一个，其中，j是等于或大于1且等于或小于n的整数。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器，其中所述非易失性存储器能够每一位地写入数据且每一位地擦除数据。

10.根据权利要求8所述的非易失性存储器，其中通过利用隧道电流来对所述存储单元进行数据的写入和擦除。

11.根据权利要求8所述的非易失性存储器，其中所述第一存储晶体管及所述第二存储晶体管为n沟道型晶体管。

12.根据权利要求8所述的非易失性存储器，其中所述第一存储晶体管及所述第二存储晶体管为p沟道型晶体管。

13.一种包含根据权利要求8所述的非易失性存储器的半导体装置，还包括天线。

14.一种包含根据权利要求8所述的非易失性存储器的电子设备，其中该电子设备选自包括摄像机、数字照相机、护目镜型显示器、头戴显示器、导航系统、音频再现装置、汽车音响或音响组件、计算机、游戏机、便携式信息终端、移动计算机、移动电话、便携式游戏机、电子书、以及具有记录媒质的图像再现装置的组。