[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

蚀刻半导体衬底以形成沟槽，用于形成器件隔离区和具有第一宽度的半导体凸起部；

在所述半导体衬底上，包括在所述沟槽和所述半导体凸起部上，形成氧化物膜；

在所述氧化物膜上形成绝缘层；

通过抛光所述绝缘层和所述氧化物膜，暴露所述半导体凸起部的上表面；

在所述半导体凸起部的下部区域形成栅极绝缘层；以及

蚀刻所述绝缘层和所述氧化物膜，以暴露所述半导体衬底的上表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述半导体衬底的步骤包括：

在所述半导体衬底上形成具有所述第一宽度的第一光致抗蚀剂图案；

使用所述第一光致抗蚀剂图案作为掩模，通过蚀刻所述半导体衬底来形成所述半导体凸起部；

在所述半导体衬底上形成第二光致抗蚀剂图案，该第二光致抗蚀剂图案暴露出将要形成所述器件隔离区的部分所述半导体衬底；以及

使用所述第二光致抗蚀剂图案作为掩模，通过蚀刻所述半导体衬底来形成所述沟槽。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在形成所述半导体凸起部之后，除去所述第一光致抗蚀剂图案；以及

在形成所述沟槽之后，除去所述第二光致抗蚀剂图案。

4.根据权利要求2所述的方法，其中通过蚀刻所述半导体衬底来形成所述沟槽的步骤包括执行反应离子蚀刻处理。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述氧化物膜的步骤包括对所述半导体衬底的表面进行湿式氧化。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述湿式氧化是在900℃到1100℃的高温下在短时间内使用蒸汽进行的。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在形成所述氧化物膜时，40％到50％厚度的所述氧化物膜是在所述半导体凸起部之内形成的，而剩余厚度的所述氧化物膜是在所述半导体凸起部之外形成的，由此所述半导体凸起部具有比所述第一宽度更窄的第二宽度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述绝缘层的步骤包括形成掩埋所述沟槽和覆盖所述半导体凸起部的绝缘层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中暴露所述半导体凸起部的上表面包括进行化学机械处理。

10.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述栅极绝缘层包括使用平面化的所述绝缘层作为掩模，穿过暴露的所述半导体凸起部的上表面注入氧离子。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

除去暴露的所述半导体凸起部，以在一沟槽中暴露所述栅极绝缘层；以及

在所述沟槽上沉积晶态半导体。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述晶态半导体包括多晶硅。

13.根据权利要求11所述的方法，其中除去暴露的所述半导体凸起部包括使用氟化乙烯丙烯选择性地湿式蚀刻所述半导体凸起部。