[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710136666.X | 申请日： | 2007-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101114571A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 鬼头杰;佐藤充;永田祐三;桥本耕治 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;H01L21/033;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具备下述工序：
在被刻蚀构件上形成第1硬掩模的工序；
在上述第1硬掩模上形成第2硬掩模的工序；
对上述第2硬掩模的一部分进行离子注入、以进行与未被进行离子注入的部分相比使对于湿法刻蚀的刻蚀速率变化的改质的工序；
将上述第2硬掩模作为掩模来刻蚀上述第1硬掩模的工序；
利用湿法刻蚀有选择地只刻蚀除去未被进行离子注入的上述第2硬掩模的工序；
在上述第1硬掩模的侧壁上形成侧壁膜的工序；
有选择地刻蚀除去未被上述第2硬掩模覆盖而露出上部的第1硬掩模的工序；以及
将上述侧壁膜和上述第1硬掩模作为掩模来刻蚀除去上述被刻蚀构件的工序。
2.如权利要求1中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
在上述刻蚀除去的工序中未被刻蚀而留下来的上述第2硬掩模的侧壁上也形成上述侧壁膜。
3.如权利要求1中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
在对上述第2硬掩模进行了构图后，在上述一部分以外的部分形成掩模来进行上述离子注入的工序。
4.如权利要求1中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
上述第2硬掩模是非晶硅或多晶硅。
5.如权利要求4中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
在上述离子注入中使用的杂质离子是硼(B)、磷(P)、砷(As)或二氟化硼(BF2)中的某一种。
6.如权利要求1中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
通过从下面起按顺序淀积氮化硅膜(SiN)、BSG膜、TEOS膜、氮化硅膜、BSG膜、TEOS膜来形成上述第1硬掩模。
7.如权利要求6中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
上述侧壁膜是非晶硅。
8.如权利要求1中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
上述第1硬掩模对于上述第2硬掩模在由碱类溶液进行的湿法刻蚀中具有高的选择比。
9.如权利要求1中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
通过从下面起按顺序淀积氮化硅膜(SiN)、BSG膜、TEOS膜、氮化硅膜、BSG膜、TEOS膜来形成上述第1硬掩模，
上述第2硬掩模是非晶硅或多晶硅。
10.如权利要求9中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
上述侧壁膜是非晶硅。
11.如权利要求1中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还具备：
在上述第2硬掩模上形成具有作为光刻的解像极限的最小线宽的“线和间隙”的抗蚀剂的工序；
将该抗蚀剂细化到光刻的解像极限以下的宽度的工序；以及
对上述第2硬掩模进行将该被细化的抗蚀剂作为掩模的各向异性刻蚀的工序。
12.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具备下述工序：
在被刻蚀构件上形成第1硬掩模的工序；
在上述第1硬掩模上形成第2硬掩模的工序；
对上述第2硬掩模的一部分进行离子注入、以进行与未被进行离子注入的部分相比使对于湿法刻蚀的刻蚀速率变化的改质的工序；
在上述第2硬掩模的侧壁上形成侧壁膜的工序；
利用湿法刻蚀有选择地只刻蚀除去未被进行离子注入的上述第2硬掩模的工序；
将上述第2硬掩模和上述侧壁膜作为掩模来刻蚀上述第1硬掩模的工序；以及
将上述第1硬掩模作为掩模来刻蚀除去上述被刻蚀构件的工序。
13.如权利要求12中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
上述第2硬掩模是非晶硅或多晶硅。
14.如权利要求13中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
在上述离子注入中使用的杂质离子是硼(B)、磷(P)、砷(As)或二氟化硼(BF2)中的某一种。
15.如权利要求13中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
上述侧壁膜是氮化硅膜。
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