[发明专利]电容器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710136818.6 申请日: 2007-07-17
公开(公告)号: CN101350355A 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: 吴孝哲;李名言;蔡文立 申请(专利权)人: 茂德科技股份有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L23/522;H01L21/8242;H01L21/768
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电容器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电容器,包括:

第一介电层;

沟槽,设置于该第一介电层内,具有第一直径;

第一导电层,顺应地设置于该沟槽内,该第一导电层为该沟槽所露出的该第一介电层的底面与侧壁上;

多个导电插拴,设置于该第一导电层的底面上,该导电插拴各自相隔一间距;

电容层,顺应地设置于该导电插拴以及该第一导电层的表面上;以及

第四导电层,覆盖该电容层,其中该电容层电学隔离该第二导电层与该导电插拴以及该第一导电层。

2.如权利要求1所述的电容器,其中该导电插拴在结构上相互连结,且为具有规律几何形顶面的中空柱状结构。

3.如权利要求2所述的电容器,其中该顶面为正六边形、圆形、矩形或三角形。

4.如权利要求1所述的电容器,其中该电容层包括含氮介电材料或高介电常数介电材料。

5.如权利要求1所述的电容器,其中该第一导电层与该导电插拴为不同的导电材料。

6.如权利要求1所述的电容器,其中该电容层系顺应地设置于该第一导电层的侧壁与底面上以及该导电插拴的侧壁与顶面上。

7.如权利要求1所述的电容器,其中该间距少于该第一直径。

8.如权利要求1所述的电容器,其中该第一导电层与该导电插拴构成了第一电极,而该第四导电层构成了第二电极。

9.一种电容器的制造方法,包括:

提供第一介电层;

在该第一介电层内形成沟槽,该沟槽具有第一直径;

在该第一介电层与该沟槽内顺应地形成第一导电层,该第一导电层为该沟槽所露出的该第一介电层的底面与侧壁上;

在该第一电极的底面上形成多个导电插拴,该导电插拴各自相隔一间距;

在该导电插拴以及该第一导电层的表面上顺应地形成电容层;以及

形成第四导电层以覆盖该电容层,其中该电容层电学隔离该第二导电层与该导电插拴及该第一导电层。

10.如权利要求9所述的电容器的制造方法,其中在该第一导电层的底面上形成多个导电插拴的步骤包括:

在该沟槽内形成第二导电层,该第二导电层填满该沟槽并覆盖位于该沟槽内的该第一导电层;

在该第一介电层上依序形成第二介电层、第三导电层以及铝层,以完全覆盖该第一介电层、该第一导电层与该第二导电层;

施行表面处理工艺,以将该铝层转变成为氧化铝层,该氧化铝层具有依照阵列方式排列的中空几何图案;

施行蚀刻工艺,以蚀刻未为该氧化铝层所覆盖的该第三导电层与该第二介电层部分,以将该氧化铝层的中空几何图案转移至该第三导电层与该第二介电层;

移除该氧化铝层与该第三导电层,留下具中空几何结构的该第二介电层,并露出该沟槽内部分的该第二导电层;

施行蚀刻工艺,采用具中空几何结构的该第二介电层为蚀刻掩模,以蚀刻未为该第二介电层所覆盖的该第二导电层部分,在该沟槽内在该第一导电层的该底面上形成该导电插拴;以及

移除具中空几何结构的该第二介电层。

11.如权利要求10所述的电容器的制造方法,其中该表面处理工艺为阳极化处理工艺。

12.如权利要求11所述的电容器的制造方法,其中该阳极化处理工艺系为湿法处理工艺。

13.如权利要求11所述的电容器的制造方法,其中该阳极化处理工艺是在介于5~50℃的温度下施行。

14.如权利要求11所述的电容器的制造方法,其中该阳极化处理工艺是在介于5~200伏特的电压下施行。

15.如权利要求11所述的电容器的制造方法,其中该第二导电层与该第一导电层为不同的导电材料。

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