[发明专利]移位寄存器电路与其上拉单元有效
申请号: | 200710136909.X | 申请日: | 2007-07-23 |
公开(公告)号: | CN101354924A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | 曾名骏;郭鸿儒;黄建翔 | 申请(专利权)人: | 奇晶光电股份有限公司;奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C19/00 | 分类号: | G11C19/00;G11C19/28;G09G3/34 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 葛宝成;黄小临 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 移位寄存器 电路 与其 单元 | ||
技术领域
本发明涉及一种移位寄存器电路,且特别涉及一种用于薄膜晶体管平面 显示装置的移位寄存器。
背景技术
由于薄膜晶体管平面显示装置(Thin Film Transistor Plane Display) 具备了轻薄、省电、高画质、低电压驱动、低消耗功率及应用范围广等优点, 故已广泛地应用于便携式电视、行动电话、摄录放影机、笔记本型计算机、 桌上型显示器、以及投影电视等消费性电子或计算机产品中,成为显示器的 主流。
薄膜晶体管平面显示器的驱动系统包含源极驱动器(Source Driver)和 扫描驱动器(Scan Driver)等,而源极驱动器和扫描驱动器则包括有移位寄存 器电路,其中此移位寄存器电路由多个移位寄存器电性串联而成。请参照图 1,其示出了现有的P型金属氧化物半导体(P-Channel Metal Oxide Semiconductor;PMOS)移位寄存器的示意图。现有的移位寄存器包含有移位 (Phase-Shifting)单元110和上拉(Pull-high)单元120。移相单元110耦接 至输入端112、第一时钟端C1和第二时钟端C2,其中输入端112、第一时钟 端C1和第二时钟端C2分别用于接收输入信号、第一时钟信号和第二时钟信 号。上拉单元120与移相单元110和输出端124耦接,而输出端124则输出 一输出信号。移相单元110包含有第一晶体管(MP1)和第二晶体管(MP2),上 拉单元120则包含有反相器(Inverter)122和第三晶体管(MP3),其中,第一 晶体管(MP1)的漏极端和第二晶体管(MP2)的栅极端连接至反相器122的输入 端而形成第一节点(VX),反相器122的输出端连接至第三晶体管(MP3)的栅极 端而形成第二节点(VY),第三晶体管(MP3)的漏极端与一高电平的第一电压源 (VDD)耦接,输出端124位于第二晶体管(MP2)的漏极端和第三晶体管(MP3) 的源极端间的节点(未标示)上,且第一节点(VX)和第二时钟端C2间存在一 升压电容(C_boost)。
上拉单元120的反相器122的主要功能在于提供第三晶体管(MP3)一适当 逻辑电平,使得第三晶体管(MP3)足以输出适当的高电平信号。请参照图2a、 图2b、图3a和图3b,图2a和图3a分别示出了二种型态的现有反相器的结 构示意图,图2b和图3b分别为此二种型态的现有反相器的时序示意图。输 入信号210、226分别输入至此二种型态的现有反相器,而此二种型态的现有 反相器则分别输出输出信号212、228。由于此二种型态的现有反相器的实施 例使用单一晶体管技术,当输入信号210、226位于低电平时,这二种型态反 相器中的晶体管204、220均会导通而产生漏极电流信号214、230。由于当 晶体管204、220处于交流的小信号分析时,其中,存在有汲源极电阻(rds; 未示出),因而产生电流路径,造成功率损耗的问题。
又,由于第一节点(VX)与第二节点(VY)的节点信号的电平可能不够高而 无法让第二晶体管(MP2)或第三晶体管(MP3)截止,或者第一节点(VX)与第二 节点(VY)的节点信号的电平不够低而无法让第二晶体管(MP2)或第三晶体管 (MP3)导通,故会导致第二晶体管(MP2)或第三晶体管(MP3)的误动作,而使现 有反相器产生错误的输出信号。
因此,有必要针对移位寄存器电路提出一种解决上述的功率损耗的问题, 并且能使移位寄存器的输出具有适当的高(High)、低(Low)电平信号,而不致 造成组件的误动作。
发明内容
因此,本发明一方面就是在提供一种移位寄存器电路,藉以避免在任何 一种操作周期产生电流路径,来解决电流路径所造成的功率损耗的问题,而 达到省电的目的。
本发明另一方面是在提供一种移位寄存器电路,藉以使移位寄存器电路 的输出端降压(Boost)至一适当(足够)低的电平信号,或升压(Buck)至一适当 (足够)高电平信号,来防止移位寄存器电路产生错误的输出信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奇晶光电股份有限公司;奇美电子股份有限公司,未经奇晶光电股份有限公司;奇美电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710136909.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。